[发明专利]一种高频宽温低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201910737879.0 | 申请日： | 2019-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN110517840A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 韩奎 | 申请（专利权）人： | 无锡斯贝尔磁性材料有限公司;江苏省晶石磁性材料与器件工程技术研究有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/34 | 分类号： | H01F1/34;C04B35/26;C04B35/622 |
| 代理公司： | 11249 北京中恒高博知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘震<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 宽温 主成份 铁氧体材料 辅助成份 初始磁导率 饱和磁通 烧结工艺 有效控制 低损耗 高频宽 重量计 磁通 制备 配方 | ||
本发明公开了一种高频宽温低损耗MnZn铁氧体材料，所述铁氧体材料是四元系FeMnZnNi铁氧体材料，由主成份和辅助成份组成，其中主成份的组成为71～77.4mol％的Fe2O3，2～13.8mol％的ZnO，0.001～1mol％的Ni2O3，余量为Mn3O4；按主成份总重量计，辅助成份的组成为CaCO3：200～2000ppm、Nb2O5：0～500ppm、V2O5：0～500ppm、SnO2：0～1000ppm、TiO2：0～2000ppm、ZrO2：0～200ppm、Ta2O5：0～200ppm、GeO2：0～1000ppm、Co3O4：0～3000ppm、Bi2O3：0～1000ppm、SiO2：0～200ppm；还有其制备方法。该材料不含成本较高的In2O，通过有效控制配方、烧结工艺，所得材料可以达到：初始磁导率900+25％，25℃饱和磁通密度≥530mT，500kHz/50mT宽温下损耗≤80mW/cm3，1MHz/50mT宽温下损耗≤170mW/cm3，3MHz/30mT宽温下损耗≤570mW/cm3，5MHz/10mT宽温下损耗≤260mW/cm3，高频(500kHz～5MHz)、宽温(‑30～140℃)下的损耗、常高温的磁通密度有较大提升，扩大了温度使用区间，提高了在极寒地区的使用能力。
技术领域
本发明属于锰锌铁氧体技术领域，具体涉及一种高频宽温低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法。
背景技术
MnZn铁氧体作为一种重要的软磁铁氧体材料，被广泛应用在电子通讯领域的电源变压器材料，近些年市场对电子器件的高频化、小型化应用提出强烈需求，高Bs有利于电子产品的小型化，高频低损耗可有效降低器件的工作效率。
在专利方面，CN109095915A公开的MnZn铁氧体材料应用温度范围仅限3MHz～5MHz的频率区间和20℃～120℃的温度区间具有超低损耗，而且含有成本较高的In2O；CN107129291B公开的MnZn软磁铁氧体损耗偏高。
发明内容
本发明的第一个目的是为了克服上述缺陷，提供一种高频宽温低损耗MnZn铁氧体材料。
本发明的第二个目的是为了提供上述材料的制备方法。
本发明的目的通过以下技术方案来具体实现：
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡斯贝尔磁性材料有限公司;江苏省晶石磁性材料与器件工程技术研究有限公司，未经无锡斯贝尔磁性材料有限公司;江苏省晶石磁性材料与器件工程技术研究有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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