[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

公开了半导体装置及其制造方法。该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的顶表面上形成再分布线；和形成钝化层以覆盖半导体衬底的顶表面上的再分布线。形成再分布线包括：在半导体衬底的顶表面上形成再分布线的第一区段的第一阶段，以及在再分布线的第一区段上形成再分布线的第二区段的第二阶段。再分布线的第二区段的平均晶粒尺寸小于再分布线的第一区段的平均晶粒尺寸。

相关申请的交叉引用

该非临时申请要求于2018年8月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0096751的优先权，其全部内容通过引用结合于此。

技术领域

本发明构思涉及半导体装置和/或其制造方法，并且更具体地，涉及包括再分布层的半导体装置和/或制造该半导体装置的方法。

背景技术

半导体装置由于其小尺寸、多功能性和/或低制造成本而在电子工业中是有益的。随着电子工业的发展，半导体装置变得高度集成。

为了更高的集成度，正在减小半导体装置的图案的线宽。然而，需要新的和/或廉价的曝光技术来限定更精细的图案。因此，难以高度集成半导体装置。因此，已经对新的集成技术进行了各种研究。

随着半导体装置中的性能和集成的进步，已经开发了用于制造具有较高信号传输速率和紧凑尺寸的半导体装置或封装件的技术。例如，再分布线被用于减小尺寸并增加半导体装置的电气特性。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例提供了具有改进的结构稳定性的半导体装置和/或制造该半导体装置的方法。

本发明构思的一些示例实施例提供了制造半导体装置的方法，其使得工艺更加便利。

根据本发明构思的示例实施例，制造半导体装置的方法可包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的顶表面上形成再分布线；以及形成钝化层以覆盖半导体衬底的顶表面上的再分布线。形成再分布线可包括：在半导体衬底的顶表面上形成再分布线的第一区段的第一阶段，和在再分布线的第一区段上形成再分布线的第二区段的第二阶段。再分布线的第二区段的平均晶粒尺寸可以小于再分布线的第一区段的平均晶粒尺寸。

根据本发明构思的示例实施例，半导体装置可包括：半导体衬底；再分布线，其位于半导体衬底的顶表面上，再分布线包括在半导体衬底的顶表面上的第一区段和在第一区段的顶表面上的第二区段；钝化层，其覆盖半导体衬底的顶表面上的再分布线；以及焊盘，其位于钝化层上，焊盘穿透钝化层并与再分布线接触。再分布线的第二区段的平均晶粒尺寸可以小于再分布线的第一区段的平均晶粒尺寸。

附图说明

图1示出了示出根据本发明构思的示例实施例的半导体装置的剖面图。

图2示出了示出图1中的部分II的放大视图。

图3示出了根据示例实施例的捕获第一区段的顶表面的照片。

图4示出了根据示例实施例的捕获第二区段的顶表面的照片。

图5至图14示出了示出根据本发明构思的示例实施例的制造半导体装置的方法的剖面图。

图15示出了示出在使用阶梯式电镀工艺(step plating process)形成晶粒的同时电流密度与晶粒密度之间的关系的曲线图。

具体实施方式

虽然在示例实施例的描述中使用术语“相同”，但应理解可存在一些误差。因此，当一个元件被称为与另一个元件相同时，应理解，一个元件在期望的制造公差范围(例如，±10％)内与另一个元件相同。