[发明专利]电阻式存储器装置在审

专利信息
申请号: 201910730562.4 申请日: 2019-08-08
公开(公告)号: CN110827895A 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: 朴贤国 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 赵南;张帆
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电阻 存储器 装置
【权利要求书】:

1.一种电阻式存储器装置,包括:

多条第一信号线和多条第二信号线,所述多条第二信号线中的各第二信号线与所述多条第一信号线中的各第一信号线交叉;

存储器单元阵列,其包括多个存储器单元,所述多个存储器单元中的各个存储器单元在第一端连接至所述多条第一信号线之一,并且在第二端连接至所述多条第二信号线之一;

写电路,其被构造为通过所述多条第一信号线中的至少一条第一信号线将写电流供应至所述多个存储器单元的至少一个存储器单元,所述写电流与将数据写入所述至少一个存储器单元中相关联;以及

读电路,其被构造为通过所述多条第二信号线中的至少一条第二信号线将读电流供应至所述多个存储器单元的所述至少一个存储器单元,所述读电流与读取存储在所述至少一个存储器单元中的数据相关联。

2.根据权利要求1所述的电阻式存储器装置,其中,

所述至少一个存储器单元包括可变电阻元件、选择元件和加热元件,

所述选择元件的一端连接至所述多条第一信号线之一,并且所述选择元件的另一端连接至所述可变电阻元件,

所述可变电阻元件的一端连接至所述选择元件,并且所述可变电阻元件的另一端连接至所述加热元件,并且

所述加热元件的一端连接至所述可变电阻元件,并且所述加热元件的另一端连接至所述多条第二信号线之一。

3.根据权利要求2所述的电阻式存储器装置,其中,所述选择元件包括双向阈值开关。

4.根据权利要求1所述的电阻式存储器装置,其中,

所述多条第一信号线包括多条位线,并且

所述多条第二信号线包括多条字线。

5.根据权利要求1所述的电阻式存储器装置,还包括:

控制电路,其被构造为产生用于控制数据写操作的写控制信号和用于控制数据读操作的读控制信号;

列解码器电路,其被构造为基于所述写控制信号将所述写电路电连接至所述多条第一信号线中的至少一条第一信号线;以及

行解码器电路,其被构造为基于所述读控制信号将所述读电路电连接至所述多条第二信号线中的至少一条第二信号线。

6.根据权利要求5所述的电阻式存储器装置,其中,

所述行解码器电路包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管,所述第一晶体管至所述第三晶体管各自被构造为根据基于所述读控制信号的控制进行开关,

所述第一晶体管在所述第一晶体管的一端连接至抑制电压,并且在所述第一晶体管的另一端连接至所述多条第二信号线中的一条第二信号线,

所述第二晶体管在所述第二晶体管的一端连接至所述读电路,并且在所述第二晶体管的另一端连接至所述多条第二信号线中的所述一条第二信号线,并且

所述第三晶体管在所述第三晶体管的一端连接至地电压,并且在所述第三晶体管的另一端连接至所述多条第二信号线中的所述一条第二信号线。

7.根据权利要求6所述的电阻式存储器装置,其中,所述数据读操作包括将所述第二晶体管接通以及将所述第一晶体管和所述第三晶体管二者关断。

8.根据权利要求6所述的电阻式存储器装置,其中,所述数据写操作包括将所述第三晶体管接通以及将所述第一晶体管和所述第二晶体管二者关断。

9.根据权利要求5所述的电阻式存储器装置,其中,

所述列解码器电路包括第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管,所述第四晶体管至所述第六晶体管各自被构造为根据基于所述写控制信号的控制进行开关,

所述第四晶体管在所述第四晶体管的一端连接至所述写电路,并且在所述第四晶体管的另一端连接至所述多条第一信号线中的一条第一信号线,

所述第五晶体管在所述第五晶体管的一端连接至抑制电压,并且在所述第五晶体管的另一端连接至所述多条第一信号线中的所述一条第一信号线,并且

所述第六晶体管在所述第六晶体管的一端连接至地电压,并且在所述第六晶体管的另一端连接至所述多条第一信号线中的所述一条第一信号线。

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