[发明专利]一种开关电源控制的装置有效

专利信息
申请号: 201910715742.5 申请日: 2019-08-05
公开(公告)号: CN112332665B 公开(公告)日: 2022-05-31
发明(设计)人: 黄存华 申请(专利权)人: 成都锐成芯微科技股份有限公司
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610041 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 开关电源 控制 装置
【权利要求书】:

1.一种开关电源控制的装置,其特征在于,所述开关电源控制的装置包括基准产生电路、采样滤波电路、比较器和驱动电路;

基准产生电路,用于输出第一基准电压和第二基准电压;

采样滤波电路,用于对装置的输出电压进行采样,并将采样电压发送至比较器;所述采样滤波电路包括第一电阻、连接于所述第一电阻的第一电容和并联于所述第一电阻和第一电容的电感,所述第一电阻和所述第一电容之间还连接有采样电压输出端,所述采样电压输出端连接于所述比较器的第二输入端;

比较器,其第一输入端连接于所述基准产生电路以接收所述第一基准电压或所述第二基准电压,第二输入端连接于所述采样滤波电路以接收采样电压;所述比较器用于将所述第一基准电压或第二基准电压与所述采样电压进行比较,以输出比较结果至所述驱动电路和比较器,所述比较器根据比较结果选择接通所述第一基准电压和所述第二基准电压中的一个;

驱动电路,接收所述比较器的比较结果,并用于导通PMOS晶体管或NMOS晶体管;所述采样滤波电路连接于所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管,当所述PMOS晶体管或所述NMOS晶体管导通时,所述采样滤波电路对输出电压进行采样并输出至所述比较器;

所述装置还包括误差放大器,所述误差放大器的第一输入端接收所述输出电压,所述误差放大器的第二输入端连接于所述基准产生电路,所述误差放大器的输出端连接于所述基准产生电路;

所述装置还包括第三基准电压的产生电路,所述第三基准电压的值为所述第一基准电压和所述第二基准电压的值的平均值;所述误差放大器的第二输出端接收所述第三基准电压。

2.根据权利要求1所述的开关电源控制的装置,其特征在于,所述采样滤波电路还连接有第二电容,所述第二电容的一端连接于所述电感和所述装置的电压输出端,另一端接地。

3.根据权利要求1所述的开关电源控制的装置,其特征在于,所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管的栅极均连接于所述驱动电路;

所述PMOS晶体管的源极连接于电源,漏极连接于所述NMOS晶体管的漏极、第一电阻的一端和电感的一端;所述NMOS晶体管的源极接地。

4.根据权利要求1所述的开关电源控制的装置,其特征在于,所述比较器通过选择开关连接于所述基准产生电路,所述选择开关通过所述比较器的比较结果选择接通所述第一基准电压和所述第二基准电压中的一个。

5.根据权利要求4所述的开关电源控制的装置,其特征在于,所述第一基准电压的值大于或小于所述第二基准电压的值。

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