[发明专利]半导体装置和形成该半导体装置的方法

说明书

本申请提供一种半导体装置和形成该半导体装置的方法。所述形成该半导体装置的方法包括：在基底上形成模制结构；在模制结构上形成具有沉积厚度的第一掩模层；以及使第一掩模层图案化，以形成使模制结构暴露的第一掩模开口。蚀刻模制结构以形成穿透模制结构的孔。使第一掩模层减薄以形成为包括厚度小于沉积厚度的掩模部分。形成导电图案以填充孔和第一掩模开口。蚀刻包括掩模部分的第一掩模层以使模制结构暴露。导电图案包括突起。执行化学机械抛光工艺以去除导电图案的突起。

本申请要求于2018年9月21日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2018-0113699号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思涉及一种形成半导体装置的方法，更具体地，涉及一种使用化学机械抛光(CMP)形成半导体装置的方法和一种通过该方法形成的半导体装置。

背景技术

已经进行了关于减小构成半导体装置的组件的尺寸并改善其性能的研究。此外，已经进行了在动态随机存取存储器(DRAM)中可靠且稳定地形成按比例缩小的单元电容器的研究。

发明内容

本发明构思的示例性实施例的一个方面是提供一种形成半导体装置的方法，所述方法包括形成DRAM的单元电容器的第一电极。

本发明构思的示例性实施例的另一方面提供一种包括第一电极的半导体装置。

根据本发明构思的示例性实施例，一种形成半导体装置的方法包括在基底上形成模制结构。在模制结构上形成具有沉积厚度的第一掩模层。使第一掩模层图案化以形成使模制结构暴露的第一掩模开口。蚀刻通过第一掩模开口暴露的模制结构以形成穿透模制结构的孔。使第一掩模层减薄以形成为包括厚度小于沉积厚度的掩模部分。形成填充孔和第一掩模开口的导电图案。蚀刻包括掩模部分的第一掩模层以使模制结构暴露。导电图案包括突起。执行化学机械抛光工艺以去除导电图案的突起。

根据另一示例性实施例，一种形成半导体装置的方法包括在基底上形成模制结构。在模制结构上形成掩模层。掩模层具有掩模开口以使模制结构暴露。蚀刻模制结构以在模制结构中形成孔。形成导电材料层以填充孔和掩模开口并覆盖掩模层。蚀刻导电材料层以在孔和掩模开口中形成导电图案。蚀刻掩模层以使导电图案的突起的侧表面暴露。执行化学机械抛光工艺以去除导电图案的突起。

根据另一示例性实施例，一种形成半导体装置的方法包括形成包括至少一个模制层和至少一个支撑层的模制结构。第一支撑层设置为模制结构的最上部分。在模制结构上形成具有掩模开口的掩模层。掩模开口使模制结构暴露。蚀刻通过掩模开口暴露的模制结构以形成穿透模制结构的孔。掩模层形成为包括具有第一厚度的第一掩模部分和具有大于第一厚度的第二厚度的第二掩模部分。在执行蚀刻之后，掩模开口保留在第一掩模部分中。在孔和掩模开口中形成导电图案，导电图案包括突起。蚀刻掩模层以使包括突起的导电图案暴露。执行化学机械抛光工艺以去除导电图案的突起。使模制结构图案化。所述至少一个支撑层被图案化以形成为具有开口的至少一个支撑图案。所述至少一个模制层被去除以使导电图案的侧表面暴露。在所述至少一个支撑图案和所述导电图案上形成电介质层。在电介质层上形成电极层。

根据另一示例性实施例，半导体装置包括设置在基底上的第一电极。上支撑图案连接第一电极的上区域，上支撑图案具有上开口。电介质层被设置为覆盖上支撑图案和第一电极的表面。第二电极设置在电介质层上。第一电极具有与上支撑图案的上表面共面的上表面。第一电极在上开口中具有倾斜的侧表面。

附图说明

通过以下结合附图对示例性实施例的详细描述，将更清楚地理解本公开的上述和其它方面、特征和优点，在附图中：

图1是根据本发明构思的示例性实施例的半导体装置的平面图；

图2是根据本发明构思的示例性实施例的图1中的半导体装置的部分'B'的局部放大视图；