[发明专利]半导体装置和形成该半导体装置的方法

权利要求书

1.一种形成半导体装置的方法，所述方法包括：

在基底上形成模制结构；

在所述模制结构上形成具有沉积厚度的第一掩模层；

使所述第一掩模层图案化，以形成使所述模制结构暴露的第一掩模开口；

蚀刻通过所述第一掩模开口暴露的所述模制结构，以形成穿透所述模制结构的孔，其中，使所述第一掩模层减薄以形成为包括掩模部分，所述掩模部分的厚度小于所述沉积厚度；

形成填充所述孔和所述第一掩模开口的导电图案；

蚀刻包括所述掩模部分的所述第一掩模层以使所述模制结构暴露，所述导电图案具有突起；以及

执行化学机械抛光工艺以去除所述导电图案的所述突起。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述第一掩模层图案化的所述步骤包括：

在所述第一掩模层上形成第二掩模层，所述第二掩模层在所述第一掩模层上具有使所述第一掩模层暴露的第二掩模开口；以及

蚀刻通过所述第二掩模开口暴露的所述第一掩模层，以形成所述第一掩模开口，

其中，在使所述第一掩模层减薄以具有小于所述沉积厚度的厚度之前去除所述第二掩模层。

3.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

在执行所述化学机械抛光工艺之前形成盖材料层，以填充所述导电图案的所述突起之间的间隙并覆盖所述模制结构，

其中，所述化学机械抛光工艺包括去除所述导电图案的所述突起以及所述盖材料层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述模制结构包括下模制层、设置在所述下模制层上的下支撑层、设置在所述下支撑层上的上模制层以及设置在所述上模制层上的上支撑层，并且

使用所述化学机械抛光工艺去除所述突起以使所述上支撑层暴露。

5.根据权利要求4所述的方法，所述方法还包括：

使所述模制结构图案化以形成上支撑图案和下支撑图案并去除所述上模制层和所述下模制层，所述上支撑层被图案化以形成被构造为连接所述导电图案的所述上支撑图案，并且所述下支撑层被图案化以形成被构造为连接所述导电图案的所述下支撑图案，

在使所述模制结构图案化之后形成电介质层，以共形地覆盖所述导电图案以及所述下支撑图案和所述上支撑图案；以及

在所述电介质层上形成电极层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在使所述上支撑层图案化的同时，蚀刻所述导电图案的一部分，以形成倾斜的侧表面。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述导电图案的所述步骤包括：

形成导电材料层，所述导电材料层填充所述孔和所述第一掩模开口并覆盖所述第一掩模层；以及

执行平坦化的化学机械抛光工艺以使所述掩模部分暴露。

8.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

在形成所述导电图案之后在所述第一掩模层和所述导电图案上形成附加材料层；以及

蚀刻所述附加材料层，

其中，所述导电图案中的每个具有从其上表面的中心部分凹进的凹进区域，

所述附加材料层包括间隙填充部分，所述间隙填充部分设置为填充所述导电图案的所述凹进区域，并且

在执行所述化学机械抛光工艺以去除所述导电图案的所述突起之后，所述附加材料层的所述间隙填充部分保留在所述凹进区域中。

9.一种形成半导体装置的方法，所述方法包括：

在基底上形成模制结构；

在所述模制结构上形成掩模层，所述掩模层具有掩模开口以使所述模制结构暴露；

蚀刻所述模制结构以在所述模制结构中形成孔；

形成导电材料层以填充所述孔和所述掩模开口并覆盖所述掩模层；

蚀刻所述导电材料层以在所述孔和所述掩模开口中形成导电图案；

蚀刻所述掩模层以使所述导电图案的突起的侧表面暴露；以及

执行化学机械抛光工艺以去除所述导电图案的所述突起。