[发明专利]氧化镓基日盲探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种日盲光电探测器，其特征在于包括：

含氧化镓外延层的氧化镓衬底，所述氧化镓衬底包括从下至上的：铁掺杂的β氧化镓半绝缘衬底、非故意掺杂氧化镓缓冲层和硅掺杂的氧化镓外延层；

源极和漏极，分别与氧化镓衬底形成肖特基接触；

氧化硅钝化层，形成于氧化镓衬底、源极和漏极之上；

从氧化硅钝化层开设至氧化镓衬底内的硅掺杂的氧化镓外延层的沟槽；

氧化铝层，形成于沟槽底部和沟槽侧壁；

栅极，沟槽的氧化铝层之上及氧化硅钝化层之上。

2.根据权利要求1所述的日盲光电探测器，其特征在于，所述非故意掺杂氧化镓缓冲层的厚度为200-1000nm，所述硅掺杂的氧化镓外延层的掺杂浓度为10¹⁶～10¹⁸cm^-3。

3.根据权利要求1所述的日盲光电探测器，其特征在于，所述源极和漏极的材料为铂金。

4.一种日盲光电探测器的制备方法，其特征在于包括：

制备含氧化镓外延层的氧化镓衬底，所述氧化镓衬底包括从下至上的：铁掺杂的β氧化镓半绝缘衬底、非故意掺杂氧化镓缓冲层和硅掺杂的氧化镓外延层；

光刻图形化，采用反应离子束刻蚀对氧化镓衬底进行器件隔离；

淀积源极和漏极，和氧化镓形成肖特基接触；

在表面生长一整层氧化硅钝化层；

采用反应离子束刻蚀将氧化硅钝化层以及预设厚度的氧化镓刻蚀，形成沟槽结构，所述沟槽的沟槽底部开设至氧化镓衬底的硅掺杂的氧化镓外延层，实现常关型的氧化镓MOSFET；

采用原子层沉积方法淀积氧化铝介质层；

在沟槽的氧化铝层之上及氧化硅钝化层之上形成栅极。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，淀积所述源极和漏极采用的金属是铂金/钛/金三层结构，铂金厚度为10-60nm，钛厚度为5-20nm，金厚度为10-100nm。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，还包括：

采用退火修复刻蚀造成的损伤，降低界面态密度制备含氧化镓外延层的氧化镓衬底。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述非故意掺杂氧化镓缓冲层的厚度为200-1000nm，所述硅掺杂的氧化镓外延层的掺杂浓度为10¹⁶～10¹⁸cm^-3。