[发明专利]一种硫化铟基杂质带半导体及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910701832.9 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110422874B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 张栋栋;陈平;赵春燕 | 申请（专利权）人： | 上海电机学院 |
| 主分类号： | C01G15/00 | 分类号： | C01G15/00;H01L31/032 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 杨元焱 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 杂质 半导体 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备In2S3杂质带半导体的方法，其特征在于，以In2S3半导体为母体化合物，采用Ge元素掺杂In2S3半导体的In位，获得In2S3杂质带半导体，所述的杂质带半导体具有孤立中间杂质带，费米能级穿越该杂质带，所述的杂质带由掺杂元素Ge-4s和S-3p杂化形成。
2.根据权利要求1所述的一种制备In2S3杂质带半导体的方法，其特征在于，Ge的原子在In2S3中的掺杂率为6.25%。
3.根据权利要求1所述的一种制备In2S3杂质带半导体的方法，其特征在于，掺杂的方法为，在固相烧结过程之前向In粉和S粉中加入Ge粉，混合均匀，之后再进行固相烧结。
4.根据权利要求3所述的一种制备In2S3杂质带半导体的方法，其特征在于，所述的固相烧结为真空固相烧结。
5.根据权利要求4所述的一种制备In2S3杂质带半导体的方法，其特征在于，烧结温度为800~900℃。
6.一种权利要求1中方法得到的In2S3杂质带半导体在高效太阳能电池吸收层中的应用。
7.一种权利要求1中方法得到的In2S3杂质带半导体在光催化剂中的应用。
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