[发明专利]一种基于线栅偏振器的LED三维显示装置在审
| 申请号: | 201910689149.8 | 申请日: | 2019-07-29 |
| 公开(公告)号: | CN110808261A | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
| 发明(设计)人: | 达伦·帕斯里克;布莱恩·亨普希尔;马克·雷米尔;马克·拉姆 | 申请(专利权)人: | 美国科视数字系统有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;G02B5/30;G02B30/34 |
| 代理公司: | 成都七星天知识产权代理有限公司 51253 | 代理人: | 袁春晓 |
| 地址: | 美国加利福尼亚州塞浦路斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 偏振 led 三维 显示装置 | ||
本说明书实施例提供一种基于线栅偏振器的LED三维显示装置,包括LED阵列,所述LED阵列包括以网格形式交替的第一LED组和第二LED组;驱动器,所述驱动器分别根据第一图像和第二图像驱动所述第一LED组和第二LED组;位于LED阵列前的线栅偏振器,所述线栅偏振器包括根据第一线性偏振状态偏振第一LED组的光的第一区域和根据第二线性偏振状态偏振所述第二LED组的光的第二区域,所述第一区域和所述第二区域分别与所述第一LED组和所述第二LED组对齐;位于线栅偏振器前的四分之一波长延迟器,所述波长延迟器用于将所述第一线性偏振状态和所述第二线性偏振状态转换成各自的圆偏振状态。
优先权声明
本申请要求2018年8月2日提交的编号为16/052697的美国申请的优先权。
技术领域
本说明书涉及一种发光二极管显示器,具体涉及一种基于线栅偏振器的三维成像发光二极管显示器。
背景技术
目前常用的LED三维图像成像技术,主要通过在发光显示屏外侧添加聚合物薄膜偏振器实现,例如,使用条状的吸收式线性偏振器。但是,使用该方式需将聚合物薄膜偏振器切成像素宽的条状,并水平、垂直或对角对齐,因此,若想精确且严格地控制像素的临界尺寸,以保持尽可能高的填充因子将是一个高成本且困难的过程。
发明内容
本说明书的一方面提供了一种发光二极管(LED)显示器,包括:LED阵列,所述LED阵列包括第一LED组,和与第一LED组以网格形式交替的第二LED组;驱动器,所述驱动器用于根据第一图像驱动第一LED组,以及根据第二图像驱动第二LED组;位于LED阵列前面的线栅偏振器,所述线栅偏振器包括根据第一线性偏振状态使第一LED组的光偏振的第一区域,和根据垂直于第一线性偏振状态的第二线性偏振状态使第二LED组的光偏振的第二区域,其中第一区域与第一LED组对齐,第二区域与第二LED组对齐;位于线栅偏振器前面的四分之一波长延迟器,所述四分之一波长延迟器用于将第一线性偏振状态和第二线性偏振状态的光转换成各自的圆偏振状态。
本说明书的另一方面提供了一种线栅偏振器,包括:一个整体基板,该基板可以使来自发光二极管的光透明;所述基板包括至少两个第一区域和至少两个第二区域,所述第一区域被配置为根据第一线性偏振状态使光偏振,所述第二区域被配置为根据垂直于所述第一线性偏振状态的第二线性偏振状态使光偏振,所述至少两个第一区域与所述至少两个第二区域在基板上以网格形式交替。
附图说明
为了更好地理解本说明书所示的各种实施例以及它们的具体实施方式,以下将结合附图进行进一步详细描述,其中:
图1是根据现有技术所示的一种发光二极管显示器的侧视示意图。
图2是根据非限制性实施例所示的可用于产生三维图像的基于线栅偏振器的发光二极管显示器的侧视示意图。
图3是根据非限制性实施例所示的可用于图1所示发光二极管显示器的线栅偏振器。
图4是根据非限制性实施例所示的图1所示发光二极管显示器的示例性运作图。
图5是根据非限制性实施例所示的图1所示发光二极管显示器原理的前视图,图中示出了线栅偏振器的区域相对应的像素尺寸,以及由每个像素所产生的圆偏振光。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
相反,本申请涵盖任何由权利要求定义的在本申请的精髓和范围上做的替代、修改、等效方法以及方案。进一步,为了使公众对本申请有更好的了解,在下文对本申请的细节描述中,详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本申请。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





