[发明专利]一种宽带SIW缝隙天线

权利要求书

1.一种宽带SIW缝隙天线(1)，包括：

介质基片(10)，包括上表面和下表面；

上表面金属层(20)，覆盖在所述介质基片(10)的上表面处；

下表面金属层(30)，覆盖在所述介质基片(10)的下表面处；

金属化通孔阵列(40)，以指定方向排列在所述介质基片(10)上，并贯穿所述介质基片(10)，以开设至所述上表面金属层(20)和所述下表面金属层(30)；

矩形缝隙(50)，蚀刻在所述上表面金属层(20)上；

馈电结构(60)，设置在所述介质基片(10)上；以及

同轴线或同轴接头(70)，连接至所述馈电结构(60)以传输外部信号，并由所述馈电结构(60)激励所述宽带SIW缝隙天线(1)向外辐射；

其中，所述金属化通孔阵列(40)、所述上表面金属层(20)和所述下表面金属层(30)构成一段封闭的基片集成波导腔体，所述金属化通孔阵列(40)排列为包围所述矩形缝隙(50)的矩形，并使得与所述矩形缝隙(50)的长边形成夹角。

2.根据权利要求1所述的宽带SIW缝隙天线(1)，其特征在于，所述金属化通孔阵列(40)具有统一的孔径，且各个金属化通孔之间的距离至少为孔径的两倍。

3.根据权利要求1所述的宽带SIW缝隙天线(1)，其特征在于，所述矩形缝隙(50)的长边与所述金属化通孔阵列(40)所排列的矩形的长边之间的夹角是50°。

4.根据权利要求1所述的宽带SIW缝隙天线(1)，其特征在于，所述矩形缝隙(50)的中心到所述金属化通孔阵列(40)所排列形成的矩形的两条长边的距离相等。

5.根据权利要求1-4中任一所述的宽带SIW缝隙天线(1)，其特征在于，所述馈电结构(60)还包括金属化孔(62)，所述金属化孔(62)贯穿所述介质基片(10)从而连接所述上表面金属层(20)，并且所述金属化孔(62)连接所述同轴线(70)以接收外部信号。

6.根据权利要求5所述的宽带SIW缝隙天线(1)，其特征在于，所述馈电结构(60)还包括蚀刻在所述下表面金属层(30)的金属化孔(62)外的蚀刻图案(64)。

7.根据权利要求5所述的宽带SIW缝隙天线(1)，其特征在于，所述同轴线(70)的内导体连接至所述金属化孔(62)，所述同轴线(70)的外导体连接至所述下表面金属层(30)。

8.一种宽带SIW缝隙天线(1)，包括：

介质基片(10)，包括上表面和下表面；

上表面金属层(20)，覆盖在所述介质基片(10)的上表面处；

下表面金属层(30)，覆盖在所述介质基片(10)的下表面处；

金属化通孔阵列(40)，以指定方向排列在所述介质基片(10)上，并贯穿所述介质基片(10)，以开设至所述上表面金属层(20)和所述下表面金属层(30)；

矩形缝隙(50)，蚀刻在所述上表面金属层(20)上；

馈电结构(60)，包括：

蚀刻图案(64)，蚀刻在所述下表面金属层(30)的金属化孔(62)外；

金属化孔(62)，贯穿所述介质基片(10)以及所述上表面金属层(20)和所述下表面金属层(30)；以及

同轴线或同轴接头(70)，所述同轴线或同轴接头(70)的内导体连接至所述金属化孔(62)，所述同轴线或同轴接头(70)的外导体连接至所述下表面金属层(30)，以接收外部信号并激励所述宽带SIW缝隙天线(1)向外辐射；

其中，所述金属化通孔阵列(40)、所述上表面金属层(20)和所述下表面金属层(30)构成一段封闭的基片集成波导腔体，所述金属化通孔阵列(40)排列为包围所述矩形缝隙(50)的矩形，并使得与所述矩形缝隙(50)的长边形成夹角。

9.根据权利要求8所述的宽带SIW缝隙天线(1)，其特征在于，所述金属化通孔阵列(40)具有统一的孔径，且各个金属化通孔之间的距离至少为孔径的两倍。