[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括隔离区和器件区；

在所述基底上形成栅极结构和覆盖所述基底的层间介质层，所述层间介质层覆盖所述栅极结构的侧壁，且所述层间介质层露出所述栅极结构的顶部，位于所述隔离区上的所述栅极结构作为伪栅极结构，位于所述器件区上的所述栅极结构作为器件栅极结构；

刻蚀所述伪栅极结构和所述伪栅极结构下方部分厚度的所述基底，形成开口，所述开口贯穿层间介质层且位于所述基底中；

在所述开口中形成第一介电层；

形成所述第一介电层后，在所述器件栅极结构两侧的所述基底中形成源漏掺杂区。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成栅极结构和覆盖所述基底的层间介质层的步骤包括：在所述基底上形成多晶硅栅极结构；

形成覆盖所述多晶硅栅极结构的层间介质材料层；

去除高于所述多晶硅栅极结构的层间介质材料层，剩余的所述层间介质材料层作为层间介质层；

形成所述层间介质层后，去除所述多晶硅栅极结构，在所述层间介质层中形成栅极开口；

在所述栅极开口中形成金属栅极结构，所述金属栅极结构作为所述栅极结构。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述伪栅极结构和所述伪栅极结构下方部分厚度的所述基底，形成所述开口。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述开口中形成第一介电层的步骤包括：形成覆盖所述开口的第一介电材料层；去除露出所述开口的第一介电材料层，位于所述开口中的第一介电材料层作为所述第一介电层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用流动式化学气相沉积工艺形成所述第一介电材料层。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述源漏掺杂区的步骤包括：刻蚀所述器件栅极结构两侧的所述层间介质层和部分厚度的所述基底，形成凹槽；在所述凹槽中形成源漏掺杂层，所述源漏掺杂层作为所述源漏掺杂区。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述器件栅极结构两侧的所述层间介质层和部分厚度的所述基底，形成凹槽。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述源漏掺杂区后还包括：在所述凹槽中的所述源漏掺杂区上形成第二介电材料层；去除露出所述凹槽的第二介电材料层，位于所述凹槽中的第二介电材料层作为第二介电层。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一介电层后，形成所述源漏掺杂区前还包括：刻蚀部分厚度的所述栅极结构，形成由层间介质层和栅极结构围成的栅极凹槽；在所述栅极凹槽中形成保护层。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括：氮化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、氮氧化硅、氮化硼和碳氮化硼中的一种或多种。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成栅极结构和覆盖所述基底的层间介质层的步骤中，所述栅极结构为多晶硅栅极结构；

形成所述形成开口的步骤中，去除所述隔离区上的所述多晶硅栅极结构以及所述多晶硅栅极结构下方的部分厚度的所述基底。