[发明专利]半导体设备封装和其制造方法

说明书

本公开的至少一些实施例涉及一种半导体设备封装。所述半导体设备封装包含载体、囊封体和天线，所述载体具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述囊封体安置于所述载体的所述第一表面上。所述天线安置于所述囊封体上。所述天线包含晶种层和导电层。

技术领域

本公开涉及一种包括包含晶种层和导电层的天线的半导体设备封装。

背景技术

天线通过电镀操作形成且安置于IC封装的模制原料的上部表面上。在电镀操作期间，衬底的后侧可受粘合层保护以便避免导电材料镀敷于衬底的后侧上。但是，粘合剂的残余物会在移除操作之后保留在衬底的后侧上。

衬底可由金属框替换。但是，金属框会在加热操作期间易于变形。

屏蔽层可包含于半导体封装中以屏蔽半导体封装内之集成电路免于电磁干扰。可包含天线，而非屏蔽层。在另一状况下，可包含天线和屏蔽层两者。屏蔽层的厚度可取决于屏蔽层意图阻挡具有高频还是低频的电磁干扰信号。高频是指0.5GHz到6GHz，且低频是指10MHz到100MHz。举例来说，为了实现屏蔽的效果，归因于低频信号的隧道效应，用于阻挡具有相对较低频率的电磁干扰(electromagnetic interference，EMI)的屏蔽层的厚度比用于阻挡具有相对较高频率的电磁干扰的屏蔽层的厚度更厚。但是，如果通过溅镀操作形成具有更大厚度的屏蔽层，那么会引发更高的成本和更长的制造时间，因此引发更低的产出率。

发明内容

在一些实施例中，根据本公开的一个方面，一种半导体设备封装包含载体、囊封体和天线，所述载体具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述囊封体安置于所述载体的所述第一表面上。所述天线安置于所述囊封体上。所述天线包含晶种层和导电层。

在一些实施例中，根据本公开的一个方面，一种半导体设备封装包含载体、囊封体和天线，所述载体具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述载体包含接近所述第一表面的第一层和接近所述第二表面的第二层。所述第二层包含双层。所述囊封体安置于所述载体的所述第一表面上。所述天线安置于所述囊封体上。所述天线包含晶种层和导电层。所述天线的所述晶种层和所述导电层中的一个的材料与所述第二层的所述双层中的一个的材料相同。

在一些实施例中，根据本公开的另一方面，公开一种用于制造半导体设备封装的方法。所述方法包含：提供载体，所述载体包含接近所述载体的第一表面的第一经图案化层；通过囊封体囊封所述载体；在所述囊封体中形成沟槽；在所述沟槽中和所述载体上形成导电层、以及在所述沟槽中和所述载体上形成所述导电层之后，形成接近所述载体的第二表面的第二经图案化层，所述第二表面与所述第一表面相对。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下具体实施方式容易理解本公开的各方面。应注意，不同特征可不按比例绘制。实际上，为了论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面图。

图1B说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的透视图。

图1C说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。

图1D说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。

图2A说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面图。

图2B说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的透视图。

图3说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面图。

图4说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面图。

图5A到图5H说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的制造方法的中间操作。