[发明专利]半导体设备封装和其制造方法

权利要求书

1.一种半导体设备封装，其包括：

载体，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

囊封体，其安置于所述载体的所述第一表面上；以及

天线，其安置于所述囊封体上，所述天线包含晶种层和导电层。

2.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中所述导电层通过所述晶种层与所述囊封体分离。

3.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中所述天线的上部表面低于所述囊封体的上部表面。

4.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其进一步包括安置于所述载体的所述第一表面上的屏蔽层。

5.根据权利要求4所述的半导体设备封装，其中所述屏蔽层包含晶种层和导电层。

6.根据权利要求4所述的半导体设备封装，其中所述囊封体囊封所述天线和所述屏蔽层。

7.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中所述天线进一步包括安置于所述晶种层和所述导电层上的保护层。

8.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中所述载体包含接近所述囊封体的第一导电层和接近所述第二表面的第二导电层。

9.根据权利要求8所述的半导体设备封装，其中所述载体进一步包含晶种层，且其中所述晶种层安置于所述第一导电层与所述第二导电层之间。

10.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中所述载体包括四边扁平无引脚QFN 结构。

11.一种半导体设备封装，其包括：

载体，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述载体包含接近所述第一表面的第一层和接近所述第二表面的第二层，所述第二层包含双层；以及

囊封体，其安置于所述载体的所述第一表面上，

天线，其安置于所述囊封体上，所述天线包含晶种层和导电层，

其中所述天线的所述晶种层和所述导电层中的一个的材料与所述第二层的所述双层中的一个的材料相同。

12.根据权利要求11所述的半导体设备封装，其中所述第二层中的导电物质在含量上大于所述第一层中的所述导电物质。

13.根据权利要求11所述的半导体设备封装，其中所述天线安置于所述囊封体的表面上的沟槽中。

14.根据权利要求13所述的半导体设备封装，其中所述双层中的一个包括与所述晶种层基本上相同的材料。

15.根据权利要求11所述的半导体设备封装，其进一步包括安置于所述载体的所述第一表面上的屏蔽层。

16.根据权利要求15所述的半导体设备封装，其中所述屏蔽层包含晶种层和导电层。

17.根据权利要求15所述的半导体设备封装，其中所述屏蔽层包围所述天线。

18.一种制造半导体封装设备的方法，其包括：

提供载体，所述载体包含接近所述载体的第一表面的第一经图案化层；

通过囊封体囊封所述载体；

在所述囊封体中形成沟槽；

在所述沟槽中和所述载体上形成导电层；以及

在所述沟槽中和所述载体上形成所述导电层之后，形成接近所述载体的第二表面的第二经图案化层，所述第二表面与所述第一表面相对。

19.根据权利要求18所述的方法，其中在所述沟槽中和所述载体上形成所述导电层之前，在所述沟槽中形成晶种层。