[发明专利]一种纳米晶模切工艺

说明书

本发明提供了一种纳米晶模切工艺，其使得纳米晶的毛刺不外露、碎屑不会散落，确保现场的操作环境，且确保后续组装产品的品质。其先通过第一模切刀冲压表面不覆盖有胶带的纳米晶，获得对应的纳米晶形状，之后在已获得的纳米晶形状的上表面和下表面分别覆盖单面胶带，之后将覆盖有胶带的纳米晶形状整体放置于对应的第二模切刀位置，第二模切刀沿着纳米晶形状的外轮廓切断上表面胶带、下表面胶带，生产出上下表面包覆有胶带的对应的纳米晶产品。

技术领域

本发明涉及纳米晶模切的技术领域，具体为一种纳米晶模切工艺。

背景技术

现有的纳米晶的模切，其预先通过在纳米晶的上表面、下表面包覆单面胶带，之后将纳米晶连同胶带整体放置到模切刀的正下方，模切刀下行，使得上表面胶带、纳米晶、下表面胶带顺次被模切到切断，在这个模切过程中，模切刀在切割纳米晶时，由于纳米晶硬度较高且材料较厚，模切大在经过多次模切后、其刀锋会不利，进而后续再进行模切时，依靠不利的刀锋挤压裁断纳米晶，导致纳米晶的边缘毛刺较大且碎屑较多、碎屑会散落到后续工位，且毛刺会磨损其他的产品，影响现场操作环境，且影响后续组装产品的品质。

发明内容

针对上述问题，本发明提供了一种纳米晶模切工艺，其使得纳米晶的毛刺不外露、碎屑不会散落，确保现场的操作环境，且确保后续组装产品的品质。

一种纳米晶模切工艺，其特征在于：其先通过第一模切刀冲压表面不覆盖有胶带的纳米晶，获得对应的纳米晶形状，之后在已获得的纳米晶形状的上表面和下表面分别覆盖单面胶带，之后将覆盖有胶带的纳米晶形状整体放置于对应的第二模切刀位置，第二模切刀沿着纳米晶形状的外轮廓切断上表面胶带、下表面胶带，生产出上下表面包覆有胶带的对应的纳米晶产品。

其进一步特征在于：所述第二模切刀的刀刃的面域相对于所述第一模切刀的刀刃的面域仿形向外扩展一定距离；

所述第二模切刀的刀刃相对于所述第一模切刀的刀刃的外扩距离不小于1mm，确保第二模切刀不会再次切到纳米晶形状的边缘；

所述上表面胶带、下表面胶带均为黑色单面胶带，其确保上表面胶带和下表面胶带的通用性，且保证纳米晶产品的整体外观品质；

所述上表面胶带、下表面胶带的覆盖通过在线卷料设备进行包覆，上表面胶带、下表面胶带的包覆通过不同的上料辊完成，确保胶带包覆准确可靠；

第二次模切完成后，胶带所形成的废料被直接收卷、通过输送线输出纳米晶产品。

采用上述技术方案后，纳米晶的模切经过两次模切刀的冲切，第一次模切用于且纳米晶的形状，之后通过在纳米晶形状的上表面和下表面分别覆盖单面胶带，之后将覆盖有胶带的纳米晶形状整体放置于对应的第二模切刀位置，第二模切刀沿着纳米晶形状的外轮廓切断上表面胶带、下表面胶带，生产出上下表面包覆有胶带的对应的纳米晶产品；其使得纳米晶的毛刺不外露、碎屑不会散落，确保现场的操作环境，且确保后续组装产品的品质。

附图说明

图1为本发明的第一次模切示意图；

图2为本发明的第二次模切示意图；

图中序号所对应的名称如下：

第一模切刀1、纳米晶2、纳米晶形状3、第二模切刀4、上表面胶带5、下表面胶带6。

具体实施方式

一种纳米晶模切工艺，见图1、图2：其先通过第一模切刀1冲压表面不覆盖有胶带的纳米晶2，获得对应的纳米晶形状3，之后在已获得的纳米晶形状3的上表面和下表面分别覆盖单面胶带，之后将覆盖有胶带的纳米晶形状整体放置于对应的第二模切刀4位置，第二模切刀4沿着纳米晶形状3的外轮廓切断上表面胶带5、下表面胶带6，生产出上下表面包覆有胶带的对应的纳米晶产品。