[发明专利]正极及电化学装置

权利要求书

1.一种正极，包括：

正极集流体；以及

设置于所述正极集流体表面的正极活性物质层，其中所述正极活性物质层包含第一颗粒和第二颗粒，所述第一颗粒包括由第三颗粒组成的二次颗粒，所述第三颗粒为一次颗粒，所述第一颗粒的平均粒径为5μm-20μm，所述第三颗粒的平均粒径为200nm-700nm，所述第二颗粒包括第四颗粒和/或由第四颗粒组成的二次颗粒，所述第四颗粒为一次颗粒，所述第二颗粒的平均粒径为3μm-5μm，所述第四颗粒的平均粒径为800nm-5μm，所述第一颗粒包含在靠近所述正极集流体的区域中，所述第二颗粒包含在远离所述正极集流体的区域中。

2.根据权利要求1所述的正极，其中所述正极活性物质层包含第一层和第二层，所述第一层包含所述第一颗粒，且所述第二层包含所述第二颗粒。

3.根据权利要求1所述的正极，其中在所述正极活性物质层的厚度方向，所述第二颗粒的数量由远离所述正极集流体的区域向靠近所述正极集流体的区域减少，所述第一颗粒的数量由远离所述正极集流体的区域向靠近所述正极集流体的区域增加。

4.根据权利要求1所述的正极，其中所述第一颗粒包括由150个至2000个第三颗粒组成的二次颗粒，所述第二颗粒包括由2个至100个第四颗粒组成的二次颗粒。

5.根据权利要求2所述的正极，其中所述第二层与所述第一层的厚度比为1：10至1：1。

6.根据权利要求1所述的正极，其中所述正极活性物质层还包括导电剂，所述导电剂在靠近所述正极集流体的区域中的含量小于远离所述正极集流体的区域中的含量。

7.根据权利要求1所述的正极，其中所述第一颗粒的比表面积为0.10m²/g至1.50m²/g，所述第二颗粒的比表面积为0.30m²/g至2.50m²/g，且所述第二颗粒与所述第一颗粒的比表面积的比值为1:1至5:1。

8.根据权利要求1所述的正极，其中所述第二颗粒与所述第一颗粒的X射线衍射的(003)衍射峰的峰强比为1.03至1.6，所述第一颗粒与所述第二颗粒的X射线衍射的(003)衍射峰的半峰宽差值为0.002°至0.008°。

9.根据权利要求1所述的正极，其中所述第一颗粒的平均粒径与所述第二颗粒的平均粒径的比值为2:1至10:1。

10.根据权利要求1所述的正极，其中：

所述第一颗粒为第一含锂过渡金属氧化物，其化学式为Li_αNi_xCo_yM1_zN1_βO₂，其中0.95≤α≤1.05，0.5≤x＜1，0＜y＜0.4，0＜z＜0.4，0≤β≤0.05，且x+y+z+β＝1，M1选自Mn和Al中的至少一种，N1选自Mg、Ti、Zr、Nb、Y、Cr、V、Ge、Mo和Sr中的至少一种；

所述第二颗粒为第二含锂过渡金属氧化物，其化学式为Li_nNi_aCo_bM2_cN2_dO₂，其中0.95≤n≤1.05，0.3≤a＜1，0＜b＜0.4，0＜c＜0.4，0≤d≤0.02，且a+b+c+d＝1，M2选自Mn和Al中的至少一种，N2选自Mg、Ti、Zr、Nb、Y、Cr、V、Ge、Mo和Sr中的至少一种。

11.根据权利要求10所述的正极，其中所述第一含锂过渡金属氧化物的镍含量大于所述第二含锂过渡金属氧化物的镍含量。

12.根据权利要求2所述的正极，其中在所述正极活性物质层的边缘，所述第二层超出所述第一层。

13.一种电化学装置，其包括：

负极；

隔离膜；

电解质；以及

根据权利要求1-12中任一权利要求所述的正极。