[发明专利]蚀刻方法、蚀刻装置及存储介质在审
| 申请号： | 201910649138.7 | 申请日： | 2019-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN110942985A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 高桥信博;浅田泰生 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 装置 存储 介质 | ||
1.一种蚀刻方法，其具备如下工序：
设置表面部分具有SiGe或Ge、以及Si的基板的工序；和，
将包含含氟气体和含氢气体的处理气体供给至所述基板，相对于所述Si选择性地蚀刻所述SiGe或Ge的工序。
2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，通过所述含氢气体，能抑制所述Si的损伤。
3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其中，所述SiGe或Ge为SiGe膜或Ge膜，且所述Si为Si膜。
4.根据权利要求3所述的蚀刻方法，其中，所述SiGe膜、所述Ge膜及所述Si膜是通过化学气相沉积法而形成的膜。
5.根据权利要求3或4所述的蚀刻方法，其中，所述基板具有在表面部分所述SiGe膜与所述Si膜交替地层叠而成的层叠结构部。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的蚀刻方法，其中，所述含氟气体是从由ClF3气体、F2气、SF6气体、IF7气体组成的组中选择的气体。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的蚀刻方法，其中，所述含氢气体是从由HF气体、H2气、H2S气体组成的组中选择的气体。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的蚀刻方法，其中，所述含氟气体的流量相对于所述含氢气体的流量之比为0.001～10的范围。
9.根据权利要求1～8中的任一项所述的蚀刻方法，其中，所述蚀刻的工序中的压力为0.133～1330Pa的范围。
10.根据权利要求1～9中的任一项所述的蚀刻方法，其中，所述蚀刻的工序中的基板温度为0.1～150℃的范围。
11.根据权利要求1～10中的任一项所述的蚀刻方法，其还具备如下工序：在所述蚀刻的工序之前进行的、去除基板表面的自然氧化膜。
12.一种蚀刻装置，所述蚀刻装置具有：
腔室，其收纳表面部分具有SiGe或Ge、以及Si的基板；
载置台，其在所述腔室内载置基板；
气体供给部，其将包含含氟气体和含氢气体的处理气体供给至所述腔室内；
排气部，其对所述腔室内进行排气；
温度调节部，其调节所述载置台上的基板的温度；和，
控制部；
所述控制部以相对于所述Si选择性地蚀刻所述SiGe或Ge的方式控制所述气体供给部、所述排气部、所述温度调节部。
13.一种存储介质，其特征在于，其是在计算机上运行、并存储有用于控制蚀刻装置的程序的存储介质，所述程序在执行时使计算机控制所述蚀刻装置，以使其进行权利要求1～11中的任一种蚀刻方法。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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