[发明专利]一种COF挠性基板的制造方法

权利要求书

1.一种COF挠性基板加工方法，包括：

1)基材处理步骤：将用于生产COF挠性基板的基材进行处理，使之在厚度、表面性能、尺寸各方面适用于进行后续的处理；

2)图形转移步骤：将预先设计好的电路图形转移到基材上；

3)集成电路成型步骤：根据已经转移到基材上的电路图形，进一步深加工，使集成电路成型并固化；

4)镀锡：在集成电路的接线脚镀锡进行保护；

5)压膜：在已成型的集成电路表面覆盖一层保护膜保护线路以绝缘和避免集成电路表面受到损伤；

6)分切：将成卷或拼板中的COF分切成单个；

7)测试及封装：测试加工好的COF基板，性能合格则进行封装，制成成品；

其特征在于：

所述步骤2)图形转移步骤包括：

2.1)基材涂布：在经过处理的基材表面涂布光致抗蚀层；

2.2)激光定位：根据基材上预设的定位点，进行定位；

2.3)激光光刻：使用经过调制的高斯光束或谐振光束，直接在基材表面进行光刻，激光穿透光致抗蚀层，根据预设的电路图案在基材表面形成细小的沟道，完成电路图案转移到基材表面的操作。

2.根据权利要求1所述的COF挠性基板加工方法，其特征在于：所述步骤2.1)中的光致抗蚀层采用厚度为10μm～50μm之间的干膜。

3.根据权利要求1所述的COF挠性基本加工方法，其特征在于：所述步骤2.1)中的光致抗蚀层选择液态光致抗蚀剂，采用涂抹的方式使其附着在经过处理的基材表面形成抗蚀层。

4.根据权利要求1所述的COF挠性基板加工方法：其特征在于：所述步骤1)中的基材选用厚度为5μm～15μm的电解铜箔。

5.根据权利要求4所述的COF挠性基板加工方法，其特征在于：所述步骤1)基材处理步骤包括：

1.1)水洗，

1.2)使用硫酸盐/硫酸微蚀体系、双氧水/硫酸体系、棕化液体系中的任何一种进行表面处理，

1.3)水洗，

1.4)防氧化处理，

1.5)热风烘干。

6.根据权利要求1所述的COF挠性基板加工方法，其特征在于：所述步骤3)集成电路成型步骤包括：

3.1)蚀刻：为采用蚀刻液沿步骤2)中已经转移到基材上的电路图案进行进一步加深直至成型；

3.2)脱膜：使用脱膜药水将残余的光致抗蚀层溶解并进行清洗。

7.根据权利要求6所述的COF挠性基板加工方法，其特征在于：所述步骤3)中采用的蚀刻液为双氧水/硫酸体系蚀刻液。

8.根据权利要求1所述的COF挠性基板加工方法，其特征在于：所述步骤5)中采用的覆盖膜可以为聚酰亚胺、PET、PEN、LCP、PEEK、PTFE或者保护油墨中的一种。

9.根据权利要求1所述的COF挠性基板加工方法，其特征在于：所述镀锡步骤在基材处理步骤之后，图形转移步骤之前，即，整体步骤流程为1)基材处理步骤→2)镀锡→3)图形转移步骤→4)集成电路成型步骤→5)压膜→6)分切→7)测试及封装。