[发明专利]一种甲脒基钙钛矿薄膜的后修复方法

权利要求书

1.一种甲脒基钙钛矿薄膜的后修复方法，其特征在于：

在0℃到100℃下，将甲脒基钙钛矿初始薄膜经氨气、含氨气的混合气体或含氨气的溶液中处理0.1s—30min，进而实现对甲脒基钙钛矿薄膜的均匀性得以提升；

或，在形成初始薄膜的前驱体溶液中通入氨气，直接制备高均匀性甲脒基钙钛矿薄膜；

所述甲脒基钙钛矿的结构式为ABX₃，式中A为甲脒NH₂-CH＝NH₂(FA)离子或与NH₂-CH＝NH₂离子形成的复合离子的一种或几种；B为Pb金属离子、Sn金属离子与Pb金属离子、或与Sn金属离子形成的复合离子中的一种或几种；X为I、Br、Cl离子中的一种或者两种及以上。

2.按权利要求1所述的甲脒基钙钛矿薄膜的后修复方法，其特征在于：所述与NH₂-CH＝NH₂离子形成的复合离子为NH₂-CH＝NH₂离子与Cs、Ru、胺类或脒类离子形成的复合。

3.按权利要求1所述的甲脒基钙钛矿薄膜的后修复方法，其特征在于：所述与Pb金属离子、或与Sn金属离子形成的复合离子为Pb或Sn金属离子分别与Bi或Eu离子形成的复合。

4.按权利要求1所述的甲脒基钙钛矿薄膜的后修复方法，其特征在于：所述甲脒基钙钛矿(结构式为ABX₃)初始薄膜中含质量百分比为甲脒基钙钛矿的含量为80wt％-100wt％。

5.按权利要求1所述的甲脒基钙钛矿薄膜的后修复方法，其特征在于：所述含氨气的混合气体为氨气与惰性气体的混合；其中，氨气的浓度介于0.1％到100％之间。

6.按权利要求1所述的甲脒基钙钛矿薄膜的后修复方法，其特征在于：所述含氨气的溶液为将氨气溶解至溶剂中，氨气的浓度为0.1％—饱和溶解度；其中，溶剂是氯苯、苯、甲苯、乙醚中的一种或几种的混合。

7.按权利要求6所述的一种甲脒基钙钛矿薄膜的后修复方法，其特征在于：所述甲脒基钙钛矿(结构式为ABX₃)初始薄膜浸泡于含氨气的溶液中；或，含氨气的溶液滴加在钙钛矿薄膜上。

8.按权利要求1所述的甲脒基钙钛矿薄膜的后修复方法，其特征在于：所述在形成初始薄膜的前驱体溶液为低沸点有机溶剂；其中，低沸点有机溶剂为乙腈、乙醇、甲醇、四氢呋喃中的一种或几种的混合。

9.按权利要求1所述的方法所得甲脒基钙钛矿薄膜在太阳能电池，发光器件或探测器件中的应用。