[发明专利]三维阻变存储阵列、译码电路以及存储系统

权利要求书

1.一种三维阻变存储阵列，其特征在于，包括：

选通层，所述选通层包括按照行方向排列的M条字线、按照列方向排列的N条源线以及M行、N列呈阵列排布的场效应晶体管，其中，位于同一行的场效应晶体管的栅极连接至同一字线，位于同一列的场效应晶体管的源极连接至同一源线，M和N为正整数；

设置在所述选通层上方并且平行于所述选通层的L个平面电极，L为正整数；

M×N个垂直贯穿所述L个平面电极的柱状存储结构，所述柱状存储结构包括柱状电极和包裹在所述柱状电极外壁的存储介质层，每个柱状电极的一端对应连接一个场效应晶体管的漏极；

所述三维阻变存储阵列，用于接收译码电路提供的操作电压；且所述译码电路，包括：

行译码模块，用于向被选中的字线提供第一操作电压，向未被选中的字线提供第二操作电压；

列译码模块，用于向被选中的源线提供第三操作电压，向未被选中的源线提供第四操作电压；

层译码模块，用于向被选中的平面电极提供第五操作电压，向未被选中的平面电极提供第六操作电压；

在对所述三维阻变存储阵列进行读操作、置位操作以及初始化操作时，所述第二操作电压的电压值和所述第三操作电压的电压值相等，所述第四操作电压的电压值和所述第六操作电压的电压值相等，且所述第四操作电压的电压值为所述第五操作电压的电压值的二分之一；

在对所述三维阻变存储阵列进行复位操作时，所述第二操作电压的电压值和所述第五操作电压的电压值相等，所述第四操作电压的电压值和所述第六操作电压的电压值相等，且所述第四操作电压的电压值为所述第三操作电压的电压值的二分之一；

所述行译码模块包括X线-M线译码器、第一选择电路以及M个第一电平移位电路，2^X＝M；

所述X线-M线译码器的每个输入端对应连接一条行地址线，所述X线-M线译码器的每个输出端对应连接一个第一电平移位电路的输入端；

所述第一选择电路用于在不同操作使能信号的控制下，选择第一字线电压、第二字线电压、第三字线电压或者第四字线电压输出；

每个第一电平移位电路的高压电源端连接所述第一选择电路的输出端，每个第一电平移位电路的低压电源端用于接收第五字线电压，每个电平移位电路的输出端对应连接一条字线。

2.一种译码电路，用于向权利要求1所述的三维阻变存储阵列提供操作电压，其特征在于，包括：

行译码模块，用于向被选中的字线提供第一操作电压，向未被选中的字线提供第二操作电压；

列译码模块，用于向被选中的源线提供第三操作电压，向未被选中的源线提供第四操作电压；

层译码模块，用于向被选中的平面电极提供第五操作电压，向未被选中的平面电极提供第六操作电压；

在对所述三维阻变存储阵列进行读操作、置位操作以及初始化操作时，所述第二操作电压的电压值和所述第三操作电压的电压值相等，所述第四操作电压的电压值和所述第六操作电压的电压值相等，且所述第四操作电压的电压值为所述第五操作电压的电压值的二分之一；

在对所述三维阻变存储阵列进行复位操作时，所述第二操作电压的电压值和所述第五操作电压的电压值相等，所述第四操作电压的电压值和所述第六操作电压的电压值相等，且所述第四操作电压的电压值为所述第三操作电压的电压值的二分之一；

所述行译码模块包括X线-M线译码器、第一选择电路以及M个第一电平移位电路，2^X＝M；

所述X线-M线译码器的每个输入端对应连接一条行地址线，所述X线-M线译码器的每个输出端对应连接一个第一电平移位电路的输入端；

所述第一选择电路用于在不同操作使能信号的控制下，选择第一字线电压、第二字线电压、第三字线电压或者第四字线电压输出；

每个第一电平移位电路的高压电源端连接所述第一选择电路的输出端，每个第一电平移位电路的低压电源端用于接收第五字线电压，每个电平移位电路的输出端对应连接一条字线。