[发明专利]用于PIC管芯的探测器及相关测试组件和方法在审

专利信息
申请号: 201910620258.4 申请日: 2019-07-10
公开(公告)号: CN110824332A 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: 王业;丁汉屹;T·M·普拉特 申请(专利权)人: 格芯公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 贺月娇;杨晓光
地址: 开曼群岛*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 pic 管芯 探测器 相关 测试 组件 方法
【权利要求书】:

1.一种针对光子集成电路(PIC)管芯的电气和光子测试而构造的探测器,所述探测器包括:

具有第一表面和相反的第二表面并且包括导电迹线的膜,所述膜被配置为电耦合到探测器接口板(PIB);

一组探测器尖端,其被定位在所述膜上,所述一组探测器尖端被配置为向所述PIC管芯发送电气测试信号或从所述PIC管芯接收电气测试信号;以及

光子测试组件,其被设置在所述膜上并且被电耦合到所述膜的所述导电迹线,所述光子测试组件被定位成与所述PIC管芯的光子I/O元件基本对准,其中所述光子测试组件被配置为向所述光子I/O元件发射光子输入信号或检测来自所述光子I/O元件的光子输出信号。

2.根据权利要求1所述的探测器,其中所述膜包括至少一个开口,所述至少一个开口在所述第一表面和所述第二表面之间延伸并且在垂直方向上位于所述光子测试组件的下方。

3.根据权利要求1所述的探测器,其中所述光子测试组件中的一者与被包括在所述光子I/O元件内的光栅耦合器在垂直方向上基本对准。

4.根据权利要求1所述的探测器,其中所述光子测试组件包括光子发射器和光子接收器,所述光子发射器和所述光子接收器中的每一者被耦合到所述膜的所述导电迹线并且被定位成与所述PIC管芯的相应光子I/O元件基本对准。

5.根据权利要求1所述的探测器,其中所述一组探测器尖端和所述光子测试组件之间的水平间隔基本等于所述PIC管芯的一组电接触和所述PIC管芯的所述光子I/O元件之间的水平间隔距离。

6.根据权利要求1所述的探测器,进一步包括至少一个焊料衬垫,所述焊料衬垫将所述膜电耦合到所述光子测试组件。

7.根据权利要求1所述的探测器,其中所述光子测试组件包括激光二极管或参考发射器组件中的一者。

8.根据权利要求1所述的探测器,其中所述光子测试组件包括光电二极管或参考接收器组件中的一者。

9.一种用于光子集成电路(PIC)管芯的测试组件,所述探测器组件包括:

探测器,其包括:

具有第一表面和相反的第二表面的膜,所述膜包括导电迹线,

一组探测器尖端,其被定位在所述膜的所述第一表面上并且通过所述膜的所述导电迹线而被电耦合到电接触衬垫,所述一组探测器尖端被配置为通过所述PIC管芯上的一组电接触发送和接收电气测试信号;

光子发射器,其被设置在所述膜上并且通过所述膜的所述导电迹线而被电耦合到所述电接触衬垫,所述光子发射器被定位成与所述PIC管芯的光子I/O元件基本对准,其中所述光子发射器被配置为将光子输入信号发射到所述PIC管芯的所述光子I/O元件内,以及

光子接收器,其被设置在所述膜上并且通过所述膜的所述导电迹线而被电耦合到所述电接触衬垫,所述光子接收器被定位成与所述PIC管芯的所述光子I/O元件基本对准,其中所述光子接收器被配置为检测来自所述PIC管芯的所述光子I/O元件的光子输出信号;以及探测器接口板(PIB),其通过一组电接触衬垫而被电耦合到所述膜,其中所述PIB选择性地向所述探测器施加测试信号以将电力输送到所述一组探测器尖端、所述光子发射器和所述光子接收器中的每一者。

10.根据权利要求9所述的测试组件,其中在所述探测器上所述光子发射器或所述光子接收器中的一者和所述一组探测器尖端之间的水平间隔基本等于所述PIC管芯的一组电接触和所述PIC管芯的所述光子I/O元件之间的水平间隔距离。

11.根据权利要求9所述的测试组件,其中所述探测器的所述膜包括至少一个开口,所述至少一个开口在所述第一表面和所述第二表面之间延伸并且在垂直方向上位于所述光子发射器或所述光子接收器中的至少一者的下方。

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