[发明专利]一种优化低碳镁碳材料抗渣侵蚀和渗透的方法

权利要求书

1.一种优化低碳镁碳材料抗渣侵蚀和渗透的方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）原料预处理，将多晶硅废料和碳化硅陶瓷废料在800 ℃处理4 h，以除去有机杂质，得到组分稳定的孰料，将原料按镁砂颗粒（5~3 mm，3~1 mm）、粘结剂、碳粉、抗氧化剂/镁砂细粉（1~0.088 mm，≤0.088 mm）/废料孰料顺序，按质量分数（60%~65%）、（2%~4%）、（4%~6%）、（2%~4%）/（15%~20%）/（5%~10%）添加并混合均匀，（2）压制成型，将上述在混料机中混合均匀的原料倒入不锈钢模具并压制成型，（3）硬化处理，将压制好的低碳镁碳生坯在隧道窑中于250 ℃热处理10 h。

2.根据权利要求1所述的一种优化低碳镁碳材料抗渣侵蚀和渗透的方法，其特征在于，所述的镁砂为电熔镁砂，MgO≥98%，所述的碳高纯高碳人工石墨，纯度≥99.5%，粒度≤10 μm。

3.根据权利要求1所述的一种优化低碳镁碳材料抗渣侵蚀和渗透的方法，其特征在于，所述的抗氧化剂为铝硅粉，纯度≥99%，粒度≤74 μm。

4.根据权利要求1所述的一种优化低碳镁碳材料抗渣侵蚀和渗透的方法，其特征在于，所述的粘结剂为热固性呋喃树脂，工业纯。

5.根据权利要求1所述的一种优化低碳镁碳材料抗渣侵蚀和渗透的方法，其特征在于，所述的多晶硅废料为光伏电池制备过程中产生的废料，具体组成为Si（50%~60%）、SiC（20%~30%）、SiO₂（5%~10%）、其他杂质（0%~15%），碳化硅陶瓷废料汽车尾气过滤用蜂窝陶瓷，具体组成为SiC（85%~90%）、SiO₂（5%~10%）、杂质（0%~5%），多晶硅废料主要提供硅源，碳化硅陶瓷废料提供碳化硅源，按任意比混合添加，在破碎机中被预处理至粒度≤74 μm。

6.根据权利要求1所述的一种优化低碳镁碳材料抗渣侵蚀和渗透的方法，其特征在于，所述的成型设备为高冲程摩擦压力机，压制方式为多次压制，4~6次，压力为300~500 MPa。