[发明专利]金刚石基氮化镓HEMT结构制造方法有效
| 申请号： | 201910603626.4 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110211880B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 范谦;倪贤锋;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L23/373;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金刚石 氮化 hemt 结构 制造 方法 | ||
1.一种金刚石基氮化镓HEMT结构制造方法，其特征在于，包括：
在第一衬底上依次形成牺牲层和阻挡层；
在所述阻挡层上生长氮化物外延层，并在所述氮化物外延层表面沉积第一介质层；
选取第二衬底，在所述第二衬底上形成第二介质层；
将所述第一介质层和第二介质层键合，使所述氮化物外延层夹在所述第一衬底与第二衬底之间；
去除所述第一衬底和牺牲层，暴露出阻挡层；
在所述暴露出的阻挡层表面生长金刚石层；
去除所述第二衬底、第一介质层和第二介质层；
所述阻挡层材料为氮化铝；
所述第一介质层和第二介质层使用高温热融合键合。
2.根据权利要求1所述的金刚石基氮化镓HEMT结构制造方法，其特征在于，所述第一介质层和第二介质层材料为氮化硅或者二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的金刚石基氮化镓HEMT结构制造方法，其特征在于，所述牺牲层三五族氮化物薄膜组成的超晶格结构。
4.根据权利要求3所述的金刚石基氮化镓HEMT结构制造方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度不超过500nm。
5.根据权利要求1所述的金刚石基氮化镓HEMT结构制造方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度不小于10nm。
6.根据权利要求1所述的金刚石基氮化镓HEMT结构制造方法，其特征在于，在所述氮化物外延层包括依次层叠的氮化镓缓冲层，沟道层和势垒层。
7.根据权利要求1所述的金刚石基氮化镓HEMT结构制造方法，其特征在于，所述生长金刚石采用微波增强等离子体化学气相沉积的方法，包括：首先在所述阻挡层表面，备制一层仔晶作为形核层，然后使用微波谐振装置激发含碳的甲烷和氢气的混合气体形成等离子体，快速沉积多晶金刚石薄膜，生长温度为500℃-800℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州汉骅半导体有限公司，未经苏州汉骅半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910603626.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
