[发明专利]半导体装置和制造该半导体装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

在基底上形成成型结构，所述成型结构包括交替地堆叠的多个牺牲图案和多个介电图案；

对所述成型结构进行图案化，以形成在第一方向上延伸的多个初始堆叠结构；

在所述多个初始堆叠结构上形成支撑图案，所述支撑图案在与所述第一方向相交的方向上延伸并且跨过所述多个初始堆叠结构延伸；以及

用多个导电图案代替所述多个牺牲图案，以从所述多个初始堆叠结构形成多个堆叠结构，

其中，所述支撑图案保留在所述多个堆叠结构上。

2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

在形成支撑图案之前，在所述多个初始堆叠结构之间形成间隙填充图案；以及

在形成支撑图案之后，去除间隙填充图案以暴露所述多个初始堆叠结构的侧表面，

其中，支撑图案覆盖间隙填充图案的顶表面的一部分。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述支撑图案的步骤包括形成在第一方向上布置的多个支撑图案。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，支撑图案在与第一方向垂直的第二方向上延伸，

支撑图案包括其热膨胀系数大于基底的热膨胀系数的材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，支撑图案在相对于第一方向倾斜的方向上延伸，

支撑图案包括其热膨胀系数小于基底的热膨胀系数的材料。

6.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：在对成型结构进行图案化之前，形成贯穿成型结构并且与基底连接的垂直沟道结构，

其中，支撑图案的底表面在比垂直沟道结构的顶表面的水平高的水平处。

7.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：在所述多个堆叠结构的面对的侧表面之间形成分离结构。

8.根据权利要求7所述的方法，所述方法还包括：在形成分离结构之后，去除支撑图案。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述分离结构包括：

间隔件，覆盖所述多个堆叠结构的面对的侧表面；以及

公共源极插塞，贯穿间隔件并且与基底连接。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，分离结构包括分离介电图案，所述分离介电图案填充所述多个堆叠结构的面对的侧表面之间的空间。

11.根据权利要求7所述的方法，所述方法还包括：在形成分离结构之后，不去除支撑图案。

12.根据权利要求7所述的方法，其中，支撑图案覆盖分离结构的顶表面的一部分，并且暴露分离结构的顶表面的其它部分。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，支撑图案包括：

第一段，在与第一方向垂直的第二方向上延伸；以及

第二段，在相对于第一方向倾斜的方向上延伸。

14.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

在基底上形成沿第一方向平行地延伸的第一初始堆叠结构和第二初始堆叠结构，第一初始堆叠结构和第二初始堆叠结构中的每个包括交替地堆叠的多个牺牲图案和多个介电图案；

在第一初始堆叠结构的面对的侧表面和第二初始堆叠结构的面对的侧表面之间形成间隙填充图案；

在第一初始堆叠结构和第二初始堆叠结构上形成支撑图案，支撑图案覆盖间隙填充图案的顶表面的一部分；以及

去除间隙填充图案以暴露第一初始堆叠结构的面对的侧表面和第二初始堆叠结构的面对的侧表面。