[发明专利]一种快恢复二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201910592379.2 | 申请日： | 2019-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN112186045A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 和峰;金锐;刘钺杨;刘江;董少华;温家良;吴军民;潘艳 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/167;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 二极管 及其 制作方法 | ||
1.一种快恢复二极管，其特征在于，包括衬底、N+阴极区、P+阳极区、寿命控制掺杂层、P+掺杂层、阳极侧电极和阴极侧电极；
所述P+掺杂层位于所述寿命控制掺杂层内部，所述寿命控制掺杂层位于P+阳极区内部；
所述阳极侧电极和阴极侧电极分别位于衬底的正面和背面；
所述P+阳极区位于所述衬底正面且靠近阳极侧电极，所述N+阴极区位于所述衬底背面且靠近阴极侧电极。
2.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述寿命控制掺杂层通过离子注入形成。
3.根据权利要求2所述的快恢复二极管，其特征在于，所述离子注入次数采用单步或多步；
所述离子注入方式采用轻离子注入方式或重离子注入方式。
4.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述N+阴极区和P+阳极区的浓度均高于衬底的浓度，所述P+掺杂层的浓度高于P+阳极区的浓度。
5.根据权利要求4所述的快恢复二极管，其特征在于，所述衬底的浓度为1E11cm-3～1E15cm-3，其后度为100um～600um。
6.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述N+阴极区的浓度为1E12cm-3～1E23cm-3，所述N+阴极区的深度为20um～100um。
7.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述P+阳极区的浓度1E13cm-3～1E22cm-3，所述P+阳极区的深度为3um～50um。
8.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述P+掺杂层的浓度1E15cm-3～1E30cm-3，所述P+掺杂层的深度为1um～2um。
9.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述阳极侧电极和阴极侧电极采用金属材料或半导体材料。
10.一种如权利要求1-9任一所述的快恢复二极管的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底的背面和正面分别形成N+阴极区和P+阳极区；
在P+阳极区内部形成寿命控制掺杂层，并在寿命控制掺杂层的内部形成P+掺杂层；
在P+阳极区的正面形成阳极侧电极，并在N+阴极区的背面形成阴极侧电极。
11.根据权利要求10所述的快恢复二极管的制作方法，其特征在于，所述在衬底的背面和正面分别形成N+阴极区和P+阳极区，包括：
在衬底的背面采用离子注入方式或者离子扩散方式形成N+阴极区，并在衬底的正面采用离子注入方式或者离子扩散方式形成P+阳极区。
12.根据权利要求10所述的快恢复二极管的制作方法，其特征在于，所述在P+阳极区内部形成寿命控制掺杂层，包括：
在P+阳极区内部采用轻离子注入方式或重离子注入方式形成寿命控制掺杂层。
13.根据权利要求10所述的快恢复二极管的制作方法，其特征在于，所述在寿命控制掺杂层的内部形成P+掺杂层，包括：
在寿命控制掺杂层的内部采用离子注入方式或者离子扩散方式形成P+掺杂层。
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