[发明专利]受光元件和测距模块在审
| 申请号: | 201910584603.3 | 申请日: | 2019-07-01 |
| 公开(公告)号: | CN110739323A | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
| 发明(设计)人: | 井本努;矶谷优治;丸山卓哉;村瀬拓郎;渡辺竜太;山崎武 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369;H04N5/374;G01S7/481 |
| 代理公司: | 11290 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电压施加单元 半导体层 片上透镜 受光元件 配线层 周边处 施加 电荷检测单元 有效像素区域 电荷检测 距离信息 排出区域 电荷 应用 | ||
1.一种受光元件,其包括:
片上透镜;
配线层;和
半导体层,其布置在所述片上透镜和所述配线层之间,
其中,所述半导体层包括:
第一电压施加单元,其被施加第一电压,
第二电压施加单元,其被施加与所述第一电压不同的第二电压,
第一电荷检测单元,其布置在所述第一电压施加单元的周边处,
第二电荷检测单元,其布置在所述第二电压施加单元的周边处,和
电荷排出区域,其设置在有效像素区域的外侧。
2.根据权利要求1所述的受光元件,其中,
所述配线层至少包括一个包括反射部件的层,并且
所述反射部件设置成在平面图中与所述第一电荷检测单元和/或所述第二电荷检测单元重叠。
3.根据权利要求1所述的受光元件,其中,
所述配线层至少包括一个包括遮光部件的层,并且
所述遮光部件设置成在平面图中与所述第一电荷检测单元和/或所述第二电荷检测单元重叠。
4.根据权利要求1所述的受光元件,其中,
所述电荷排出区域包括受到驱动的开口像素。
5.根据权利要求1所述的受光元件,其中,
所述电荷排出区域包括受到驱动的遮光像素。
6.根据权利要求1所述的受光元件,其中,
所述电荷排出区域包括被施加零电压或正电压的高浓度N型区域。
7.根据权利要求1所述的受光元件,其还包括:
在像素的边界部分处的P阱区域,其与所述第一电荷检测单元和所述第二电荷检测单元的周边处的绝缘膜接触。
8.根据权利要求7所述的受光元件,其中,
所述P阱区域的杂质浓度高于光电转换区域的杂质浓度。
9.根据权利要求1所述的受光元件,其还包括:
在所述第一电荷检测单元和所述第二电荷检测单元的周边处的绝缘膜与形成有像素晶体管的P阱区域之间的间隙区域中的N型扩散层,其被施加零电压或正电压。
10.根据权利要求9所述的受光元件,其中,
所述N型扩散层布置成被所述有效像素区域内部的像素列共用。
11.根据权利要求9所述的受光元件,其中,
所述N型扩散层布置在所述有效像素区域外侧的像素中。
12.根据权利要求9所述的受光元件,其中,
所述N型扩散层布置在所述有效像素区域内部的每个像素中。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的受光元件,其中,
所述第一电压施加单元和所述第二电压施加单元由分别形成在所述半导体层中的第一P型半导体区域和第二P型半导体区域构成。
14.根据权利要求1至12中任一项所述的受光元件,其中,
所述第一电压施加单元和所述第二电压施加单元由分别形成在所述半导体层中的第一传输晶体管和第二传输晶体管构成。
15.一种测距模块,其包括:
根据权利要求1至14中任一项所述的受光元件;
光源,其发出具有周期性地波动的亮度的照射光;和
发光控制单元,其控制所述照射光的照射时序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





