[发明专利]具有增强的共源极电感的逆变器功率模块引线框架

权利要求书

1.一种功率模块，其包括：

上晶体管管芯和下晶体管管芯；以及

引线框架总成，所述引线框架总成具有接收所述上管芯的一侧并延伸至正供电杆的正DC桨板，接收所述下管芯的第一侧并延伸至AC供电杆的AC桨板，位于所述桨板之间的负供电杆，将所述上管芯的第二侧与所述AC桨板互连的上板，以及将所述下管芯的第二侧与所述负供电杆互连的下板；

其中经由所述正供电杆和负供电杆流动的电流限定了产生主磁通量的功率回路，其中第一方向在位于所述上板和下板的内边缘内的中心区域中且相反的方向位于所述中心区域外；

其中所述上板和下板具有相应的外边缘，所述相应的外边缘各自具有适于集中返回磁通量的相应部分的相应凹口；以及

其中每个管芯具有连接在相应的栅极回路中的相应栅极焊盘，其中所述栅极回路各自与相应的集中返回磁通量部分重叠，从而增强了共源极电感。

2.如权利要求1所述的功率模块，其中所述管芯各自包括相应的发射极焊盘，其中所述引线框架总成包括用于每个管芯的相应栅极引脚和发射极引脚，且其中所述相应栅极引脚和发射极引脚连接到所述栅极焊盘和发射极焊盘，使得每个管芯的栅极回路电流沿所述相应的凹口流动。

3.如权利要求2所述的功率模块，其中键合线将用于所述上管芯的所述发射极引脚连接到所述AC桨板。

4.如权利要求2所述的功率模块，其中所述负供电杆包括越过所述下板中的所述凹口的侧向条，且其中键合线将用于所述下管芯的所述发射极引脚连接到所述侧向条。

5.如权利要求1所述的功率模块，其中所述晶体管管芯包括绝缘栅双极晶体管(IGBT)，且其中所述第一侧是所述IGBT的集电极侧。

6.如权利要求1所述的功率模块，其还包括跨越所述功率模块的侧面的至少一个冷板，其中在所述冷板中由所述主磁通量感应出的涡电流回路从所述栅极回路偏移。

7.一种功率转换器，其包括：

DC链路，所述DC链路具有被配置为接收DC电源电压的正总线和负总线；

耦合在所述总线之间的多个半桥功率模块，每个功率模块包括：

上晶体管管芯和下晶体管管芯；以及

引线框架总成，所述引线框架总成具有接收所述上管芯的一侧并延伸至正供电杆的正DC桨板，接收所述下管芯的第一侧并延伸至AC供电杆的AC桨板，位于所述桨板之间的负供电杆，将所述上管芯的第二侧与所述AC桨板互连的上板，以及将所述下管芯的第二侧与所述负供电杆互连的下板；

其中经由所述正供电杆和负供电杆流动的电流限定了产生主磁通量的功率回路，其中第一方向在位于所述上板和下板的内边缘内的中心区域中且相反的方向位于所述中心区域外；

其中所述上板和下板具有相应的外边缘，所述相应的外边缘各自具有适于集中返回磁通量的相应部分的相应凹口；以及

其中每个管芯具有连接在相应的栅极回路中的相应栅极焊盘，其中所述栅极回路各自与相应的集中返回磁通量部分重叠，从而增强了共源极电感。

8.如权利要求7所述的功率转换器，其中在每个功率模块中的所述管芯各自包括相应的发射极焊盘，其中所述引线框架总成包括用于每个管芯的相应栅极引脚和发射极引脚，且其中所述相应栅极引脚和发射极引脚连接到所述栅极焊盘和发射极焊盘，使得每个管芯的栅极回路电流沿所述相应的凹口流动。

9.如权利要求8所述的功率转换器，其中键合线将用于每个功率模块的所述上管芯的所述发射极引脚连接到所述相应的AC桨板。

10.如权利要求8所述的功率转换器，其中每个功率模块的所述负供电杆包括越过所述相应下板中的所述凹口的侧向条，且其中键合线将用于所述下管芯的所述相应发射极引脚连接到所述侧向条。

11.如权利要求7所述的功率转换器，其中所述晶体管管芯包括绝缘栅双极晶体管(IGBT)，且其中所述第一侧是所述IGBT的集电极侧。