[发明专利]一种用于Low-E玻璃的硅铝锆靶材及其制备方法

权利要求书

1.一种用于Low-E玻璃的硅铝锆靶材，其特征在于：各组分按重量份数计包括：硅61-85份，锆6.7-27份，铝3.8-9.1份，Al₃Ni 0.5-2.6份，锡 0.08-0.2份，硼0.15-0.5份，铌0.01-0.05份，钇0.002-0.008份。

2.如权利要求1所述的用于Low-E玻璃的硅铝锆靶材，其特征在于：所述各组分按重量份数计为：硅73份，锆17.6份，铝7.1份，Al₃Ni 1.8份，锡 0.16份，硼0.32份，铌0.02份，钇0.005份。

3.权利要求1所述的用于Low-E玻璃的硅铝锆靶材的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：其中各组分按重量份数计

（1）锆钇母合金的制备：向真空熔炼炉中放入锆99份，将锆熔化，在温度为1880-1920℃保温后加入钇1份，经过熔炼和精炼后控制温度为1870-1890℃；将上述熔液浇铸入模具铸成铸锭；

（2）硅锆合金粉的制备：向真空熔炼炉中放入硅61-85份熔化，然后向熔液中加入锆5.9-27.1份，然后向所得熔液中加入锆钇母合金0.2-0.8份并熔化；将上述熔液浇铸入模具冷却成铸锭；再将铸锭破碎，球磨，得到粒度150-200目的硅锆合金粉；

（3）铝合金粉末的制备：向真空雾化制粉设备的熔炼炉中放入铝3.8-9.1份并熔化；然后向熔液中加入锡0.08-0.2份，以21-28kW的功率将其熔化；之后向所得熔液中加入Al₃Ni0.5-2.6份，之后向所得熔液中加入硼0.15-0.5份并熔化；之后向所得熔液中加入铌0.01-0.05份；之后将上述熔液雾化成粒度120-150目的铝合金粉；

（4）硅锆合金粉的退火：将步骤（2）所得硅锆合金粉放入托盘中，粉堆放的厚度2-3cm；将装有粉的托盘装入箱式电阻炉中进行加热，打开炉门空冷；

（5）硅铝锆靶材的制备：将步骤（3）和步骤（4）所得粉末按质量比1:1混合均匀，用低压等离子喷涂工艺制成靶材。

4.如权利要求3所述的用于Low-E玻璃的硅铝锆靶材的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中锆在53-75kw的功率下熔炼，保温时间为5min，钇在35-58kW的功率熔炼5min，然后在31-49 kW的功率下精炼10min。

5.如权利要求3所述的用于Low-E玻璃的硅铝锆靶材的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中硅在60-86kw的功率下熔化得到熔液，保温温度控制为1460-1550℃；锆在39-65kW的功率将其熔化，锆钇母合金以36-45kW的功率将其熔化，控制温度为1450-1520℃。

6.如权利要求3所述的用于Low-E玻璃的硅铝锆靶材的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中铝在33-55kw的功率将铝熔化得到熔液，保温温度控制为700-730℃；锡以36-51kW的功率将其熔化，控制温度为750-780℃，硼在52-69kW的功率将其熔化，控制温度为990-1250℃，所述铌以35-39kW的功率将其熔化，控制温度为1020-1270℃，精炼10min。

7.如权利要求3所述的用于Low-E玻璃的硅铝锆靶材的制备方法，其特征在于：所述步骤（4）中箱式电阻炉加热40min后从室温升到150℃，保温60min，然后80min升到630℃，保温120min，最后用20min升到710℃。