[发明专利]波长可调直接调制硅基外腔激光器有效
| 申请号： | 201910567777.9 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110323665B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 周林杰;郭宇耀;陆梁军;陈建平;付志明;陆建鑫 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学;中兴光电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 波长 可调 直接 调制 硅基外腔 激光器 | ||
1.一种波长可调直接调制硅基外腔激光器，其特征在于包括反射型半导体光放大器(101)、光斑尺寸转换器(102)、移相器(103)、窄通带滤波器(104)、微环调制器(105)、第一反射镜(106)和第二反射镜(107)；所述反射型半导体光放大器(101)的输出端与所述的光斑尺寸转换器(102)的输入端相连，所述的光斑尺寸转换器(102)的输出端与所述的移相器(103)相连，所述的移相器(103)的输出端与所述的窄通带滤波器(104)的输入端相连，所述的窄通带滤波器(104)的输出端与所述的微环调制器(105)的输入端相连，之后连接所述的第二个反射镜(107)，所述的微环调制器(105)的下载端与第一个反射镜(106)连接，该第一反射镜(106)的输出端即激光器的输出端。
2.如权利要求1所述的波长可调直接调制硅基外腔激光器，其特征在于：所述的反射型半导体光放大器(101)的一端具有高反射率(反射率≥90％),另一端具有低反射率(反射率≤0.005％)，所述的低反射率端即反射型半导体光放大器(101)的输出端；所述的反射型半导体光放大器(101)的增益波长处于通信波段，可以用III-V量子阱或量子点材料实现。
3.如权利要求1所述的波长可调直接调制硅基外腔激光器，其特征在于，所述的光斑尺寸转换器(102)采用倒锥耦合器、悬空波导等耦合器实现。
4.如权利要求1所述的波长可调直接调制硅基外腔激光器，其特征在于，所述的移相器(103)采用热光移相器或电光移相器。
5.如权利要求1所述的波长可调直接调制硅基外腔激光器，其特征在于：所述的第一个反射镜采用萨尼亚克(Sagnac)反射环或布拉格光栅结构,其反射率约40％。
6.如权利要求1所述的波长可调直接调制硅基外腔激光器，其特征在于：所述的第二个反射镜采用Sagnac反射环或者布拉格光栅结构，用于微环调制器调离谐振状态时，维持激光器的反馈，其反射率约5％。
7.如权利要求1所述的波长可调直接调制硅基外腔激光器，其特征在于：除RSOA外，其余部件都可由硅波导实现，RSOA和硅芯片可以通过对接耦合、倒装耦合或键合等方式进行对准。
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