[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法、原子层沉积装置和显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括步骤：

提供第一衬底；

在所述第一衬底上设置第一金属层；

在所述第一金属层上设置绝缘层；

在所述绝缘层上设置有源层；

在所述有源层上设置欧姆接触层；

在所述欧姆接触层上设置第二金属层；

将上述膜层进行蚀刻；

在蚀刻后的膜层上设置钝化层；

在所述钝化层上设置电极层；

其中，对所述第二金属层的加工步骤包括：

将金属层放置于原子层沉积装置的反应室内；

在原子层沉积装置中持续通入预设时间的第一前驱体进行反应，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，重复进行第一预设次数；

在原子层沉积装置中持续通入预设时间的第二前驱体进行反应，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，重复进行第二预设次数；

在原子层沉积装置中持续通入预设时间的第三前驱体进行反应，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，重复进行第三预设次数；以及

将上述步骤重复进行第四预设次数形成保护层；

其中，所述保护层在所述第二金属层上，所述第二金属层为源漏极金属层，所述保护层将第二金属层和空气进行隔开。

2.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一前驱体为钼前驱体，材料包括六羰基钼、氯化钼、氟化钼中的至少一种；

所述第二前驱体为铝前驱体，材料包括三甲基铝、三乙基铝、叔丁醇铝中的至少一种；

所述第三前驱体为氮前驱体，材料包括氮气、氨气、联氨中的至少一种；

所述惰性气体包括氩气和氦气中的至少一种。

3.如权利要求2所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述钼前驱体、铝前驱体和氮前驱体的持续通入预设时间均在0.01秒至0.2秒之间，所述钼前驱体和铝前驱体的通入预设时间比所述氮前驱体的通入预设时间长；所述钼前驱体、铝前驱体和氮前驱体通入的速率在5毫升/分钟至30毫升/分钟之间。

4.如权利要求2所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述钼前驱体、铝前驱体和氮前驱体的停留预设时间均在2秒至20秒之间。

5.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述金属层包括顶金属层、中间金属层和底金属层，所述顶金属层、中间金属层和底金属层为层叠设置，所述顶金属层为金属层最后设置的一层，所述原子层沉积装置对所述顶金属层进行加工。

6.如权利要求2所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述原子层沉积装置的反应室中通入的所述钼前驱体、铝前驱体和氮前驱体中钼原子(Mo)、铝原子(Al)和氮原子(N)的比例为：Mo：Al：N＝1：0.5：0.2。

7.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述原子层沉积装置在所述金属层上形成的保护层的厚度范围为200-800am。

8.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一预设次数为17-23次，所述第二预设次数为8-13次，所述第三预设次数为2-8次，所述第四预设次数为17-23次。

9.一种显示面板，其特征在于，包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为权利要求1至8任意一项所述的薄膜晶体管的制作方法制成。