[发明专利]腐蚀液及从二类超晶格外延薄膜层去除锑化镓衬底的方法

说明书

本发明公开了一种腐蚀液及从二类超晶格外延薄膜层上去除锑化镓衬底的方法，腐蚀液用于去除二类超晶格外延薄膜层上的锑化镓衬底，腐蚀液包括：原料，至少包括以下之一：氢氟酸、磷酸；缓冲剂，至少包括以下之一：柠檬酸、乳酸、酒石酸；添加剂，包括含有高锰酸根离子的化合物、含有重铬酸根离子的化合物、或含有锰酸根离子与重铬酸根离子的混合物。采用本发明，通过选择对锑化镓腐蚀能力较小的主料，并配以缓冲剂和添加剂，用于去除二类超晶格外延薄膜层上的锑化镓衬底，可以避免现有技术中在去除锑化镓的过程中造成二类超晶格外延薄膜层被腐蚀去除的情况，实现了二类超晶格外延薄膜层的表面无损伤，成功地还原了二类超晶格外延薄膜层的表面状态。

技术领域

本发明涉及腐蚀技术领域，尤其涉及一种腐蚀液及从二类超晶格外延薄膜层上去除锑化镓衬底的方法。

背景技术

相关技术中，通过将锑化镓(GaSb)衬底和二类超晶格薄膜材料整体粘附在玻璃基板上，衬底材料向上，先后采用机械研磨或车削、机械抛光和化学腐蚀的方法去除衬底。这种方式在操作过程中，由于锑化镓衬底材料在研磨过程中很容易崩边掉渣使衬底表面划伤，形成较深的损伤，而且在抛光过程中由于抛光工艺本身的技术特点很容易使锑化镓衬底材料厚度不均匀，另外，由于化学抛光只能均匀地去除厚度，很容易造成锑化镓衬底去除完全的同时二类超晶格材料也可能被腐蚀去除一定厚度，对器件的性能产生一定的影响。

发明内容

本发明实施例提供一种腐蚀液及从二类超晶格外延薄膜层上去除锑化镓衬底的方法，用以解决现有技术中工艺流程复杂、容易造成二类超晶格薄膜材料损耗的问题。

本发明实施例提供一种腐蚀液，用于去除二类超晶格外延薄膜层上的锑化镓衬底，腐蚀液包括：

原料，至少包括以下之一：氢氟酸、磷酸；

缓冲剂，至少包括以下之一：柠檬酸、乳酸、酒石酸；

添加剂，包括含有高锰酸根离子的化合物、含有重铬酸根离子的化合物、或含有锰酸根离子与重铬酸根离子的混合物。

根据本发明的一些实施例，含有高锰酸根离子的化合物包括：高锰酸钾或高锰酸。

根据本发明的一些实施例，含有重铬酸根离子的化合物包括：重铬酸钾或重铬酸。

根据本发明的一些实施例，含有锰酸根离子与重铬酸根离子的混合物包括：高锰酸钾与重铬酸钾的混合物、高锰酸钾与重铬酸的混合物、高锰酸与重铬酸钾的混合物、或高锰酸与重铬酸的混合物。

根据本发明的一些实施例，每升腐蚀液中含有原料的量为50克至110克，每升腐蚀液中含有缓冲剂的量为2克至20克。

根据本发明的一些实施例，当添加剂为含有高锰酸根离子的化合物时，每升腐蚀液中含有添加剂的量为30克至80克。

根据本发明的一些实施例，当添加剂为含有重铬酸根离子的化合物时，每升腐蚀液中含有添加剂的量为75克至120克。

根据本发明的一些实施例，当添加剂为含有锰酸根离子与重铬酸根离子的混合物时，每升腐蚀液中含有添加剂的量为105克至200克，其中，混合物中锰酸根离子与重铬酸根离子的比例为1：0.54。

本发明实施例还提供一种从二类超晶格外延薄膜层上去除锑化镓衬底的方法，包括：

制备腐蚀液；

将带有锑化镓衬底的二类超晶格外延薄膜层放入腐蚀液中持续预设时间；

用无水乙醇清洗二类超晶格外延薄膜层。

进一步地，制备腐蚀液具体包括：

在主料中添加缓冲剂；

在主料中添加添加剂；