[发明专利]一种干法刻蚀设备

说明书

本发明提供一种干法刻蚀设备，包括相对平行设置的上电极和下电极，所述下电极的四周设有相互独立的分体式整流墙，所述整流墙包括长条状基座，所述长条状基座的上表面设有凹槽，所述凹槽贯穿所述长条状基座的延伸方向。本发明通过在下电极周边设置相互独立的分体式高度可调节的整流墙，整流墙具有更好的扰流效果，提高了刻蚀的均一性，防止部分区域出现刻蚀不良。

技术领域

本发明涉及干法刻蚀技术领域，特别涉及一种干法刻蚀设备。

背景技术

在液晶面板生产过程中经常会用到干法刻蚀技术在基板上形成线路图案，干法刻蚀是用等离子体对薄膜刻蚀的技术，而在基板进行蚀刻过程中，普遍存在基板不同位置存在刻蚀不均的问题。这是由于干法刻蚀设备的腔室中气体全部通过四个角落的抽气口排出，基板角落及边缘的反应气体及生成物置换活跃，基板角落及边缘的刻蚀速率较其他部位更快，从而导致基板刻蚀均一性较差，进而导致面板出现显示不良。

图1为现有干法刻蚀设备结构示意图，干法刻蚀设备包括相对设置的上电极1和下电极2，刻蚀时基板(glass)置于下电极2上，为改善基板刻蚀不均的问题，在下电极2的四周安装整流墙3，通过整流墙3来干扰气体流动，减缓整流墙3附近的气体流动从而降低基板边缘的刻蚀速率。但是，现有技术中的整流墙为一体式结构，容易发生断裂，整流墙的高度为固定值，不同制程需选用不同高度的整流墙，同时，特定刻蚀速率快区域无法调节，部分区域过刻不良仍然在发生。

发明内容

本发明的目的是提供一种干法刻蚀设备，具有分体式整流墙，整流墙的高度可灵活调整，提高刻蚀的均一性。

本发明提供一种干法刻蚀设备，包括相对平行设置的上电极和下电极，所述下电极的四周设有相互独立的分体式整流墙，所述整流墙包括长条状基座，所述长条状基座的上表面设有凹槽，所述凹槽贯穿所述长条状基座的延伸方向。

进一步，所述整流墙还包括至少一个T字型盖板，所述T字型盖板包括水平板和与水平板垂直并向外凸出的第一滑块；所述第一滑块在所述凹槽内滑动。

进一步，所述整流墙还包括第一挡块，第一挡块包括第一挡块本体和位于第一挡块本体底部并向外凸出的第二滑块，所述第二滑块可沿所述凹槽滑动。

进一步，所述T字型盖板设有两个，所述第一挡块置于两个相邻的T字型盖板之间。

进一步，所述第一挡块本体为长方体结构，第一挡块本体的高度大于所述T字型盖板的水平板的高度。

进一步，所述整流墙还包括两个第二挡块，两个第二挡块分别置于第一挡块和T字型盖板之间。

进一步，所述第二挡块包括第二挡块本体和第三滑块；所述第二挡块本体的横截面为直角梯形，第二挡块本体的上底面与T字型盖板相接触，第二挡块本体的下底面与第一挡块相接触，第二挡块本体的直角面的底部设有向外凸出的第三滑块，所述第三滑块可沿所述凹槽滑动。

进一步，所述基座、T字型盖板、第一挡块和第二挡块均为陶瓷绝缘材料。

本发明通过在下电极周边设置相互独立的分体式高度可调节的整流墙，整流墙设置由基座、T字型盖板、第一挡块和第二挡块组合而成，可获得更好的扰流效果，提高了刻蚀的均一性，防止部分区域出现刻蚀不良。

附图说明

图1为现有干法刻蚀设备结构示意图；

图2为本发明整流墙实施例一结构示意图；

图3为本发明T字型盖板结构示意图；

图4为本发明整流墙实施例二结构示意图；

图5为本发明第一挡块结构示意图；

图6为本发明第二挡块结构示意图；

图7为本发明整流墙实施例三结构示意图；