[发明专利]一种用于晶体半导体材料的生长的多铸锭炉

权利要求书

1.一种用于晶体半导体材料的生长的多铸锭炉，包括底座(5)，其特征在于，所述底座(5)的上端面的左侧固定连接有炉体(2)，所述炉体(2)上盘绕有冷却管(4)，所述底座(5)的上端面的右侧固定连接有储水槽(6)，所述储水槽(6)上端设置有冷却机构，所述冷却机构包括冷却箱体(14)，所述冷却箱体(14)的上端通过连接管(15)贯穿冷却箱体(14)的上端面与冷却箱体(14)内部连通，冷却管(4)与连接管(15)之间固定连接，所述连接管(15)与冷却箱体(14)之间固定连接，所述冷却箱体(14)内部的底端面固定连接有电机壳(20)，所述电机壳(20)内固定安装有双轴电机(10)，所述双轴电机(10)的上端面的输出端竖直固定连接有主动杆(19)，所述主动杆(19)转动连接在电机壳(20)内，所述主动杆(19)上固定套设有固定板(11)，所述固定板(11)上对称设置有四个连接套(12)，每个所述连接套(12)内均转动连接有从动杆(18)，每个所述从动杆(18)上均对称固定连接有多个搅拌叶(13)，每个所述从动杆(18)的上端面均固定连接有从动齿轮(17)，相邻的两个从动齿轮(17)之间啮合连接，所述主动杆(19)的上端固定连接有主动齿轮(16)，所述主动齿轮(16)的做两侧分别与从动齿轮(17)啮合连接，所述冷却箱体(14)的上端面开设有输液口，所述输液口与转有冷却液的冷却箱相连接，所述冷却箱体(14)的下端面对称固定连接有两个连通管(21)，每个所述连通管(21)的下端均储水槽(6)内连通，所述炉体(2)的上端面设置有炉盖(3)。

2.根据权利要求1所述的一种用于晶体半导体材料的生长的多铸锭炉，其特征在于，所述双轴电机(10)下端面的输出端通过连接轴(22)贯穿储水槽(6)的上端面并固定连接有螺旋叶(7)，所述螺旋叶(7)的下端转动连接在储水槽(6)的底端面上。

3.根据权利要求1所述的一种用于晶体半导体材料的生长的多铸锭炉，其特征在于，所述冷却管(4)的下端与储水槽(6)的底端面相连通，所述冷却管(4)的下端固定连接有水泵(8)。

4.根据权利要求1所述的一种用于晶体半导体材料的生长的多铸锭炉，其特征在于，所述底座(5)的底端面对称开设有四个滑轮槽(24)，每个所述滑轮槽(24)内均固定连接有伸缩气缸(23)。

5.根据权利要求1所述的一种用于晶体半导体材料的生长的多铸锭炉，其特征在于，每个所述伸缩气缸(23)的下端面的输出端均通过连接板转动连接滑轮(9)，每个所述滑轮(9)均滑动连接在地面上。

6.根据权利要求1所述的一种用于晶体半导体材料的生长的多铸锭炉，其特征在于，所述底座(5)的底端面对称固定连接有四个支撑腿(1)。