[发明专利]电容器及其形成方法、存储单元及存储器

权利要求书

1.一种电容器，其特征在于，包括：

下电极；

上电极；

位于所述下电极与所述上电极之间的电容介电层，所述电容介电层包括主介电层、位于所述主介电层与所述上电极之间的牺牲层。

2.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述电容介电层还包括位于所述主介电层与所述上电极之间的漏电流阻挡层。

3.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述牺牲层的材料为含氧高K介电材料。

4.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述牺牲层的材料包括氧化锆、氧化钛、氧化镧、氧化铪以及氧化钽中的至少一种。

5.根据权利要求2所述的电容器，其特征在于，所述漏电流阻挡层的材料的禁带宽度大于或等于所述主介电层的材料的禁带宽度。

6.根据权利要求2所述的电容器，其特征在于，所述漏电流阻挡层的材料包括氧化铝、氧化镁及二氧化硅中的至少一种。

7.根据权利要求2所述的电容器，其特征在于，所述牺牲层位于所述漏电流阻挡层和上电极之间。

8.根据权利要求2所述的电容器，其特征在于，所述牺牲层的厚度小于1nm，所述漏电阻挡层的厚度小于1nm。

9.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述主介电层包括依次堆叠的氧化锆层、氧化铝层和氧化锆层。

10.一种电容器的形成方法，其特征在于，包括：

形成下电极；

在所述下电极表面形成电容介电层，所述电容介电层包括位于所述下电极表面的主介电层、位于所述主介电层表面的牺牲层；

在所述电容介电层表面形成上电极。

11.根据权利要求10所述的电容器的形成方法，其特征在于，所述在所述下电极表面形成电容介电层，包括：采用化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺在所述下电极表面形成电容介电层。

12.根据权利要求10所述的电容器的形成方法，其特征在于，所述在所述下电极表面形成电容介电层，包括：在所述主介电层表面形成漏电流阻挡层；在所述漏电流阻挡层表面形成所述牺牲层。

13.根据权利要求10所述的电容器的形成方法，其特征在于，所述漏电流阻挡层的材料的禁带宽度大于或等于所述主介电层的材料的禁带宽度。

14.根据权利要求12所述的电容器的形成方法，其特征在于，所述主介电层包括依次堆叠的氧化锆层、氧化铝层和氧化锆层；所述漏电流阻挡层的材料包括氧化铝、氧化镁及二氧化硅中的至少一种；所述牺牲层的材料为含氧高k介电材料。

15.一种存储单元，其特征在于，包括：

如权利要求1至9中任一项所述的电容器。

16.根据权利要求15所述的存储单元，其特征在于，还包括：

基底；

所述基底内形成有具有源极区和漏极区的晶体管；

所述基底内还形成有连接所述源极区或所述漏极区的电接触部，所述基底暴露出所述电接触部的表面，所述电容器的下电极通过所述电接触部与所述源极区或所述漏极区连接。

17.根据权利要求16所述的存储单元，其特征在于，所述下电极的纵截面为U形，所述下电极的U形底部与所述电接触部接触。

18.一种存储器，其特征在于，包括：由多个如权利要求16所述的存储单元形成的存储阵列。

19.根据权利要求18所述的存储器，其特征在于，所述存储器包括DRAM。