[发明专利]固态图像拾取元件、其制造方法和电子设备

权利要求书

1.一种固态图像拾取元件，包括：

设置在基板中的至少一个第一光电转换部；

设置在所述基板上并包括有机光电转换层的第二光电转换部；和

覆盖所述有机光电转换层的光入射面的紫外线防护膜。

2.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件，其中所述光在射入所述有机光电转换层中之前射入所述紫外线防护膜中。

3.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件，其中第二光电转换部包括在所述紫外线防护膜和所述有机光电转换层之间的上部电极和在所述有机光电转换层和所述基板之间的下部电极。

4.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件，其中所述光包括波长为约400nm以下的光，并且所述紫外线防护膜吸收约20％以上的所述波长为约400nm以下的光。

5.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件，其中所述紫外线防护膜的厚度为至少约200nm。

6.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件，其中所述有机光电转换层在上部电极和下部电极之间，并且其中所述有机光电转换层的端部、所述上部电极的端部和所述紫外线防护膜的端部彼此在约500nm以内。

7.根据权利要求6所述的固态图像拾取元件，其中所述有机光电转换层在所述有机光电转换层的端部具有侧面，所述上部电极在所述上部电极的端部具有侧面，并且所述紫外线防护膜与所述有机光电转换层的整个上表面接触并与在所述有机光电转换层的端部的侧面和在所述上部电极的端部的侧面接触。

8.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件，其中所述紫外线防护膜选自氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(AlO)、氧化钛(TiO)、氧化钒(VO)、氧化铬(CrO)和氮化铝(AlN)。

9.根据权利要求8所述的固态图像拾取元件，其中所述紫外线防护膜是选自氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(AlO)、氧化钛(TiO)、氧化钒(VO)、氧化铬(CrO)和氮化铝(AlN)中的至少两种的叠层。

10.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件，其中所述紫外线防护膜的应力的绝对值为约500mPa以下。

11.一种固态图像拾取元件的制造方法，所述方法包括：

在基板中形成至少一个或多个第一光电转换部；

在所述基板上形成有机光电转换层；

形成紫外线防护膜以覆盖所述有机光电转换层的光入射面；和

使所述有机光电转换层图案化以形成第二光电转换部。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述图案化是使用等离子体照射的干法蚀刻工艺。

13.根据权利要求12所述的方法，其中在等离子体照射期间，所述紫外线防护膜吸收约20％以上的射入所述有机光电转换层中的波长为约400nm以下的光。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述紫外线防护膜利用RF功率为约500W、基板温度为约200℃、压力为约5Torr、氮气流量为约5000sccm、硅烷流量为约500sccm并且氨气流量为约100sccm的平行平板型等离子体化学气相沉积单元形成。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述有机光电转换层在上部电极和下部电极之间形成，并且其中所述有机光电转换层的端部、所述上部电极的端部和所述紫外线防护膜的端部形成为彼此在约500nm以内。