[发明专利]基片处理装置和处理液再利用方法

权利要求书

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

使基片浸渍于包含药液和硅的处理液中进行该基片的蚀刻处理的处理槽；

将从所述处理槽排出的所述处理液回收并存积的存积部；

回收从所述处理槽排出的所述处理液的一部分，从回收的所述处理液中去除硅的去除部；

将存积于所述存积部的所述处理液和由所述去除部去除了硅后的所述处理液混合的混合部；和

使由所述混合部混合后的所述处理液返回所述处理槽的返回路径。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于，包括：

将存积于所述存积部的所述处理液中的第一量的处理液供给至所述混合部的第一供给部；和

将由所述去除部去除了硅后的所述处理液中的第二量的处理液供给至所述混合部的第二供给部。

3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第一供给部和所述第二供给部的所述第一量和所述第二量是基于所述处理液的硅浓度的初始值设定的。

4.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于，包括：

多个所述处理槽；

将从多个所述处理槽排出的所述处理液回收并存积的所述存积部；

与多个所述处理槽对应的多个所述第一供给部和多个所述第二供给部；和

与多个所述处理槽对应，且与对应于同一所述处理槽的所述第一供给部和所述第二供给部连接的多个所述混合部。

5.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于，包括：

多个所述处理槽；

将从多个所述处理槽排出的所述处理液回收并存积的所述存积部；

与多个所述处理槽对应的多个所述第一供给部和多个所述第二供给部；和

与多个所述处理槽对应，且与对应于同一所述处理槽的所述第一供给部和所述第二供给部连接的多个所述混合部。

6.如权利要求1至5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

包括与不同的多个硅浓度对应的多个所述去除部。

7.如权利要求1至5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述去除部从回收的所述处理液中去除该处理液包含的硅中的一部分。

8.如权利要求1至5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，包括：

在所述处理槽中对所述处理液进行加热的第一加热部；和

在所述存积部中对所述处理液进行加热的第二加热部。

9.如权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于：

包括在所述混合部中对所述处理液进行加热的第三加热部。

10.一种处理液再利用方法，其特征在于，包括：

存积步骤，将从使基片浸渍于包含药液和硅的处理液中进行该基片的蚀刻处理的处理槽排出的所述处理液回收并存积；

去除步骤，回收从所述处理槽排出的所述处理液的一部分，从回收的所述处理液中去除硅；

混合步骤，将在所述存积步骤中存积的所述处理液和在所述去除步骤中去除了硅后的所述处理液混合；和

返回步骤，使在所述混合步骤中混合后的所述处理液返回所述处理槽。