[发明专利]一种旋转结构及其制备方法

权利要求书

1.一种旋转结构的制备方法，用于制备静电驱动的旋转结构，其特征在于，所述旋转结构包括斜坡单元和可旋转单元；

所述制备方法包括：

采用离子束刻蚀工艺制备斜坡单元，所述斜坡单元包括独立设置的第一斜坡面和第二斜坡面；

在所述第一斜坡面和所述第二斜坡面分别制备第一电极；

在所述斜坡单元一侧制备可旋转单元；

制备第二电极，所述第二电极与所述可旋转单元电连接，所述可旋转单元用于根据所述第一电极和所述第二电极之间的静电力进行旋转；

所述采用离子束刻蚀工艺制备斜坡单元包括：

使用单一掩膜板，通过多次调整离子束的入射角度，得到包括多级台阶结构的所述第一斜坡面和所述第二斜坡面。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用离子束刻蚀工艺制备斜坡单元，包括：

提供衬底结构，所述衬底基板包括依次设置的衬底层、绝缘层以及第一半导体层；

提供掩膜板，并将所述掩膜板设置于所述第一半导体层远离所述衬底层的一侧；

根据所述掩膜板，对所述第一半导体层的第一区域进行M次离子束刻蚀，得到包括M级台阶的第一斜坡面；M≥2且M为整数；

根据所述掩膜板，对所述第一半导体层的第二区域进行N次离子束刻蚀，得到包括N级台阶的第二斜坡面；N≥2且N为整数；

在所述第一区域和所述第二区域的结合位置处刻蚀所述第一半导体层至所述绝缘层，得到包括独立设置的第一斜坡面和第二斜坡面的斜坡单元。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一斜坡面包括M级台阶，连接第一级台阶起点与第M级台阶的起点的连线与水平方向之间的夹角为α，其中0°＜α＜90°；

所述第二斜坡面包括N级台阶，连接第一级台阶起点与第N级台阶的起点的连线与水平方向之间的夹角为β，其中0°＜β＜90°。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，提供掩膜板，包括：

提供硅衬底，所述硅衬底包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面均为(100)晶面；

在所述第一表面和所述第二表面生长氧化层；

去除所述第一表面一侧的部分所述氧化层，暴露出部分所述第一表面；

对所述第一表面进行湿法腐蚀，直至腐蚀贯穿所述硅衬底；

去除所述第一表面上的部分所述氧化层以及所述第二表面上的所述氧化层，得到掩膜板；所述掩膜板包括第一掩膜面和第二掩膜面，所述第一掩膜面和第二掩膜面为(111)晶面。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述第一斜坡面和所述第二斜坡面分别制备第一电极，包括：

在所述第一斜坡面、所述第二斜坡面以及所述第一半导体层远离所述绝缘层一侧的表面进行离子注入，制备得到第一电极以及与所述第一电极电连接的第一电极连接部；

在所述斜坡单元一侧制备可旋转单元，包括：

提供第二半导体层；

对所述第二半导体层与所述第一半导体层进行键合；

沿预设刻蚀位置从所述第二半导体层远离所述第一半导体层一侧的表面对所述第二半导体层进行刻蚀，直至贯穿所述第二半导体层，得到位于所述斜坡单元远离所述第一半导体层一侧的可旋转单元；同时刻蚀覆盖所述第一电极连接部的所述第二半导体层部分，暴露出所述第一电极连接部；所述可旋转单元在所述衬底层上的垂直投影与所述第一斜坡面和所述第二斜坡面在所述衬底层上的垂直投影均存在交叠区域；

沿预设刻蚀位置从所述第二半导体层远离所述第一半导体层一侧的表面对所述第二半导体层进行刻蚀，同时刻蚀覆盖所述第一电极连接部的所述第二半导体层部分之后，还包括：

制备第一电极信号输入端子和第二电极信号输入端子，所述第一电极信号输入端子与所述第一电极连接部电连接，所述第二电极信号输入端子与所述第二电极电连接。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第二半导体层的电阻率ρ1≤0.1Ω·cm；

所述第二电极复用所述可旋转单元。