[发明专利]主动元件基板有效
| 申请号: | 201910492939.7 | 申请日: | 2019-06-06 |
| 公开(公告)号: | CN110164877B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
| 发明(设计)人: | 黄淑惠;林敬舜;谢秀春;陈亦伟 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 主动 元件 | ||
一种主动元件基板,包括基底、主动元件、触控信号线、第一绝缘层、触控电极、第二绝缘层、像素电极以及第一桥接元件。触控信号线设置于基底上。第一绝缘层设置于触控信号线上且具有与触控信号线的接触部重叠的第一接触窗。触控电极设置于第一绝缘层上且具有接触部。第二绝缘层设置于触控电极上且具有第二接触窗。第二接触窗与触控电极的接触部及第一绝缘层的第一接触窗重叠。第一桥接元件设置于第二绝缘层上且与像素电极分离。第一桥接元件通过第一接触窗及第二接触窗与触控电极的接触部及触控信号线的接触部电性连接。
技术领域
本发明涉及一种基板,且特别涉及一种主动元件基板。
背景技术
一般而言,液晶显示器可分为非晶硅薄膜晶体管(amorphous silicon thin filmtransistor)液晶显示器及低温多晶硅薄膜晶体管(low temperature poly-silicon thinfilm transistor)液晶显示器等两种。有别于传统的非晶硅薄膜晶体管,低温多晶硅薄膜晶体管具有较佳的电子迁移率,可制作出尺寸较小的薄膜晶体管,故能增加开口率、提升显示器亮度并减少电力的消耗。
然而,在低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器的工艺中,在制作像素结构时,通常会使用到10至11道光罩工艺,相较于非晶硅薄膜晶体管液晶显示器的工艺为7至8道工艺,低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器必须花费较多的工艺时间以及较高的成本,且工艺步骤也非常繁杂。
发明内容
本发明的目的在于提供一种主动元件基板,其可简化工艺、提升产能。
本发明的主动元件基板包括基底、主动元件、触控信号线、第一绝缘层、触控电极、第二绝缘层、像素电极以及第一桥接元件。基底具有主动区以及主动区外的周边区。主动元件设置于基底的主动区上。触控信号线设置于基底上。第一绝缘层设置于触控信号线上,且具有与触控信号线的接触部重叠的第一接触窗。触控电极设置于第一绝缘层上,且具有接触部。第二绝缘层设置于触控电极上,且具有第二接触窗。第二接触窗与触控电极的接触部及第一绝缘层的第一接触窗重叠。像素电极设置于第二绝缘层上,且与主动元件电性连接。第一桥接元件设置于第二绝缘层上,且与像素电极分离。第一桥接元件通过第一接触窗及第二接触窗与触控电极的接触部及触控信号线的接触部电性连接。
在本发明的一实施例中,上述的第一绝缘层具有定义第一接触窗的侧壁。触控电极的接触部的侧壁与第一绝缘层的侧壁实质上切齐。
在本发明的一实施例中,上述的第一接触窗于基底上的垂直投影的边缘的部分与触控电极的接触部于基底上的垂直投影的边缘的部分实质上重合。
在本发明的一实施例中,上述的触控信号线在第一方向上延伸。触控电极的接触部于基底上的垂直投影的边缘的部分与第一方向夹有一角度α,而0°≤α≤90°。
在本发明的一实施例中,上述的主动元件基板更包括第一信号线。第一信号线与主动元件电性连接,且与触控信号线交错。其中,第一信号线在第二方向上延伸,而触控电极的接触部于基底上的垂直投影的边缘的部分与第二方向夹有角度β,而0°≤β≤90°。
在本发明的一实施例中,上述的触控信号线在第一方向上延伸。第二接触窗具有第一部分及第二部分,分别与触控电极的接触部及第一绝缘层的第一接触窗重叠。第二接触窗的第一部分及第二接触窗的第二部分在第三方向上排列,而第一方向与第三方向交错。
在本发明的一实施例中,上述的主动元件基板更包括接垫以及介电层。接垫设置于周边区。介电层设置于接垫上,且具有与接垫重叠的至少一第三接触窗。其中,触控信号线设置于介电层上且具有设置于周边区的第一端部。触控信号线的第一端部设置于介电层的至少一第三接触窗中且直接地接垫电性接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





