[发明专利]调平机构、反应腔室及半导体加工设备有效
| 申请号: | 201910491836.9 | 申请日: | 2019-06-06 |
| 公开(公告)号: | CN112048715B | 公开(公告)日: | 2022-09-16 |
| 发明(设计)人: | 王福来 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 机构 反应 半导体 加工 设备 | ||
1.一种调平机构,其特征在于,包括沿待调平件的周向间隔分布的至少三个高度调节组件,每个所述高度调节组件包括:
支撑件,设置在所述待调平件的底部,用于支撑所述待调平件;
配合件,位于所述支撑件的下方,并且所述配合件具有相对于水平面倾斜的第一斜面;
楔形件,位于所述配合件的下方,且具有相对于水平面倾斜的第二斜面,且所述第二斜面与所述第一斜面相配合;
驱动结构,用于驱动所述楔形件沿第一水平方向或者方向与之相反的第二水平方向移动,以使所述第二斜面沿所述第一斜面相对移动,从而带动所述支撑件上升或下降;
所述驱动结构包括:
推动件,设置在所述楔形件在水平方向上的厚度最大端的一侧;并且,所述推动件具有相对于水平面倾斜的第三斜面及沿竖直方向设置的螺纹孔;在所述楔形件的厚度最大端处设置有相对于水平面倾斜的第四斜面,所述第四斜面与所述第三斜面相配合;
调节螺钉,设置在所述螺纹孔中,且与之螺纹配合,用以通过旋松或旋紧所述调节螺钉,来使所述推动件上升或下降,从而使所述第三斜面沿所述第四斜面相对移动,从而使所述楔形件沿所述第一水平方向或者第二水平方向移动;
弹性件,设置在所述楔形件的厚度最小端的一侧,用于向所述楔形件施加能够使所述第四斜面与所述第三斜面保持接触的弹力;
每个所述高度调节组件还包括连接件,所述连接件与所述配合件将所述楔形件夹在二者之间,所述调节螺钉可旋转的设置在所述连接件上。
2.根据权利要求1所述的调平机构,其特征在于,所述第四斜面为两个,且沿所述楔形件的水平轴线对称设置;
所述推动件为两个,且上下设置,两个所述推动件的所述第三斜面分别与两个所述第四斜面相配合;位于所述楔形件上方的所述推动件具有沿竖直方向设置的通孔,位于所述楔形件下方的所述推动件具有所述螺纹孔;
所述调节螺钉由上而下依次穿设于所述通孔和所述螺纹孔,且与所述螺纹孔螺纹配合,用以通过旋松或旋紧所述调节螺钉,来使两个所述推动件向远离或靠近彼此的方向移动。
3.根据权利要求1所述的调平机构,其特征在于,所述连接件包括水平板和自所述水平板的一端向上弯曲,并朝向所述水平板的另一端延伸的弯曲部,以在所述弯曲部与所述水平板之间形成中空部,所述中空部用于容纳两个所述推动件,且在所述弯曲部中竖直设置有通孔,所述调节螺钉穿过所述通孔,并延伸至所述中空部中。
4.根据权利要求1所述的调平机构,其特征在于,所述楔形件在水平方向上的厚度最大端位于厚度最小端的外侧,且所述调节螺钉位于所述待调平件的边缘外侧。
5.根据权利要求1所述的调平机构,其特征在于,所述连接件具有相对于水平面倾斜的第五斜面;
所述楔形件还具有第六斜面,所述第六斜面和所述第二斜面相对于所述楔形件的水平轴线对称设置,并且所述第六斜面与所述第五斜面相配合。
6.根据权利要求1所述的调平机构,其特征在于,所述弹性件包括压缩弹簧或者压缩弹片。
7.根据权利要求1所述的调平机构,其特征在于,在所述支撑件的底部设置有连接部,且在所述连接部上设置有开口朝向所述推动件的凹槽,用于容纳所述配合件、所述楔形件和所述连接件三者各自的至少一部分,并限定所述配合件、所述楔形件和所述连接件在竖直方向上的自由度。
8.一种反应腔室,包括用于承载被加工工件的基座,其特征在于,还包括权利要求1-7任意一项所述的调平机构,所述调平机构设置在所述基座的底部。
9.根据权利要求8所述的反应腔室,其特征在于,至少三个所述高度调节组件设置在所述基座的底部,且在每个所述高度调节组件的底部设置有可滚动的绝缘球体;
在所述基座的底部,且位于其中心位置处还设置有中心支撑柱,用于支撑所述基座。
10.一种半导体加工设备,其特征在于,包括权利要求8或9所述的反应腔室。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





