[发明专利]芯片、电子器件及芯片的制作方法

权利要求书

1.一种芯片，其特征在于，包括芯片单元和保护层，所述芯片单元包括相对设置的底面和顶面及连接在所述底面和所述顶面之间的侧面，所述底面用于与电路板连接，所述保护层覆盖至所述侧面。

2.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述芯片单元包括包括基材层和功能层，所述基材层包括承载面、所述底面及连接在所述承载面和所述底面之间的第一侧壁，所述功能层形成在所述承载面，所述功能层包括相对设置的连接面和所述顶面及连接在所述连接面和所述顶面之间的第二侧壁，所述连接面面对所述承载面，所述保护层形成在所述第一侧壁和所述第二侧壁上。

3.如权利要求1或2所述的芯片，其特征在于，所述保护层延伸至所述顶面上，并遮盖所述顶面的边缘区域。

4.如权利要求1或2所述的芯片，其特征在于，所述保护层延伸至所述底面，并与所述底面至少部分重叠。

5.如权利要求1或2所述的芯片，其特征在于，所述保护层包括层叠设置的导电层和屏蔽层，所述导电层位于所述屏蔽层和所述侧面之间。

6.如权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述屏蔽层材质为金属。

7.如权利要求1或2所述的芯片，其特征在于，所述侧面设有突起结构或凹槽结构，以增强所述保护层与所述侧面之间的附着力。

8.如权利要求1或2所述的芯片，其特征在于，所述保护层的材料为金属材料。

9.如权利要求8所述的芯片，其特征在于，所述保护层的厚度范围为：2-6um。

10.如权利要求1或2所述的芯片，其特征在于，所述保护层的材料为高分子及复合材料。

11.如权利要求10所述的芯片，其特征在于，所述保护层的厚度范围为：3-6um。

12.如权利要求1或2所述的芯片，其特征在于，所述保护层的材料为无机化合物。

13.如权利要求12所述的芯片，其特征在于，所述保护层的厚度范围为：0.5-1um。

14.如权利要求1或2所述的芯片，其特征在于，所述保护层全面积覆盖所述侧面。

15.一种电子器件，包括电路板，其特征在于，所述电子器件还包括如权利要求1至14任意一项所述的芯片，所述芯片设于所述电路板上，且所述底面面对所述电路板。

16.一种芯片制作方法，其特征在于：包括：

切割晶圆，形成多个芯片单元，各芯片单元包括相对设置的底面和顶面及连接在所述底面和所述顶面之间的侧面；

在所述侧面上设置保护层；

将具有所述保护层的芯片单元封装至电路板上。

17.如权利要求16所述的芯片制作方法，其特征在于，在所述侧面设置所述保护层之前，先将所述顶面覆盖成像区保护模具。

18.如权利要求17所述的芯片制作方法，其特征在于，所述侧面上的保护层制作好后，具有所述保护层的芯片单元通过贴片工艺安装在所述电路板上。

19.如权利要求17所述的芯片制作方法，其特征在于，所述侧面上制作所述保护层之前，先将所述芯片单元通过贴片工艺安装在所述电路板上。

20.如权利要求16-19任意一项所述的芯片制作方法，其特征在于，通过涂覆的方式制作所述保护层，所述保护层的厚度为0.5-6um。