[发明专利]像素结构有效
| 申请号: | 201910469164.1 | 申请日: | 2019-05-31 |
| 公开(公告)号: | CN110246875B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
| 发明(设计)人: | 谢宗錞;陈建铨 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 柴双;宋洋 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 结构 | ||
1.一种像素结构,包括:
一第一电极;
一像素定义层设置于该第一电极上,具有一像素开口,该像素开口包括:
一中间部;以及
一第一部及一第二部,该第一部、该中间部及该第二部在一第一方向上依序排列,
其中该第一部在一第二方向上具有一第一宽度W1,该第二部在该第二方向上具有一第二宽度W2,该中间部在该第二方向上具有固定的第三宽度W3,W3W1且W3W2,
其中该第一部在该第一方向上具有一第一长度L1,该第二部在该第一方向上具有一第二长度L2,该中间部在该第一方向上具有一第三长度L3,以及
一第一挡墙,设置于该中间部,以将该像素开口的区域定义为一第一子像素及一第二子像素。
2.如权利要求1所述的像素结构,还包括一发光图案,该发光图案设置于该像素开口中,其中该发光图案于该像素定义层与该第一电极的交接处的厚度H1大于该发光图案于该第一电极上的厚度H2。
3.如权利要求2所述的像素结构,其中该像素定义层还包括多个第二挡墙,多个所述第二挡墙分别设置于该中间部的两个侧边,其中每一个所述第二挡墙在该第二方向上具有一第四宽度W4,且W4=X-W1,其中X为所述发光图案的液滴直径及机械精度的宽度。
4.如权利要求1所述的像素结构,其中该第一部具有一第一内侧边及一第一外侧边,该第一内侧边及该第一外侧边平行该第二方向,该第二部具有一第二内侧边及一第二外侧边,该第二内侧边及该第二外侧边平行该第二方向。
5.如权利要求4所述的像素结构,还包括多个第一挡墙,多个所述第一挡墙中的一者对应该第一部的该第一外侧边设置,多个所述第一挡墙中的另一个对应该第二部的该第二外侧边设置。
6.如权利要求1所述的像素结构,其中该第一部的一第一内侧边相对该第二部的一第二内侧边,该第一内侧边的延伸方向交错该第二内侧边的延伸方向。
7.如权利要求1所述的像素结构,还包括一第二电极,该第二电极设置于该像素定义层上。
8.一种像素结构,包括:
一第一电极;
一像素定义层设置于该第一电极上,具有多个像素开口,各该像素开口包括:
一中间部;以及
一第一部及一第二部,该第一部、该中间部及该第二部在一第一方向上依序排列,
其中该第一部在一第二方向上具有一第一宽度W1,该第二部在该第二方向上具有一第二宽度W2,该中间部在该第二方向上具有固定的第三宽度W3,W3W1且W3W2,
其中该第一部在该第一方向上具有一第一长度L1,该第二部在该第一方向上具有一第二长度L2,该中间部在该第一方向上具有一第三长度L3,
其中多个所述像素开口包括一第一像素开口与一第二像素开口在该第一方向上依序排列;以及
一第一挡墙,设置于该第一像素开口与该第二像素开口之间,以将该第一像素开口的区域定义为一第一子像素,该第二像素开口的区域定义为一第二子像素。
9.如权利要求8所述的像素结构,还包括多个第一挡墙设置于该第一像素开口的该中间部、该第二像素开口的该中间部以及该第一像素开口与该第二像素开口之间,以将该第一像素开口的区域定义为一第一子像素及一第二子像素,该第二像素开口的区域定义为一第三子像素及一第四子像素。
10.如权利要求8所述的像素结构,还包括多个发光图案,每一个所述发光图案设置于每一个所述像素开口中,其中每一个所述发光图案于该像素定义层与该第一电极的交接处的厚度H1大于每一个所述发光图案于该第一电极上的厚度H2。
11.如权利要求8所述的像素结构,其中该第一部具有一第一内侧边及一第一外侧边,该第一内侧边及该第一外侧边平行该第二方向,该第二部具有一第二内侧边及一第二外侧边,该第二内侧边及该第二外侧边平行该第二方向。
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