[发明专利]用于集成电路的电磁干扰设备和方法有效

专利信息
申请号: 201910461121.9 申请日: 2016-08-22
公开(公告)号: CN110263897B 公开(公告)日: 2022-11-22
发明(设计)人: T·奥达斯;A·萨拉菲亚诺斯;S·谢奈;F·马里内特 申请(专利权)人: 意法半导体(鲁塞)公司
主分类号: G06K19/073 分类号: G06K19/073;G09C1/00;H03K5/01;H04K3/00;H04L9/00;H03K5/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;董典红
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 集成电路 电磁 干扰 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种用于干扰电磁辐射的方法,所述电磁辐射由位于在半导体衬底中和在半导体衬底上制造的集成电路的至少一个区域上方的互连区域的部分所发射,所述方法包括:

生成时钟信号;

向所述时钟信号的前部的至少一些伪随机地施加延迟,以产生具有至少一个伪随机特性的电信号;以及

利用所述电信号驱动位于所述集成电路的所述至少一个区域上方的至少一个金属天线,所述电信号被直接施加到所述至少一个金属天线的输入端子。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述延迟是固定延迟和可变延迟中的一种。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述可变延迟是伪随机地变化的延迟。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述至少一个金属天线包括第一天线和第二天线,所述第一天线和所述第二天线被放置在所述集成电路的所述至少一个区域上方,所述方法还包括:

选择所述第一天线和所述第二天线中的一个天线,以及

将所述电信号直接施加至所选择的天线的输入端子。

5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述选择所述第一天线和所述第二天线中的一个天线以伪随机方式执行。

6.一种设备,包括:

集成电路,被制造在半导体衬底中和所述半导体衬底上;

互连区域,位于所述半导体衬底上方;

至少一个天线,位于所述集成电路的至少一个区域上方的互连区域内;以及

生成电路,被耦合至所述至少一个天线,并且包括:

时钟生成器,被配置用于生成时钟信号,

延迟电路,被配置用于向所述时钟信号的前部的至少一些伪随机地施加延迟,以产生具有至少一个伪随机特性的电信号,以及

所述电信号被直接施加至所述至少一个天线的输入端子,以便干扰由所述互连区域的至少一部分所发射的电磁辐射。

7.根据权利要求6所述的设备,其中,所述延迟电路被配置用于向所述时钟信号的前部的至少一些伪随机地施加固定延迟和可变延迟中的一种。

8.根据权利要求7所述的设备,其中,所述可变延迟是伪随机地变化的延迟。

9.根据权利要求6所述的设备,其中,所述互连区域包括多个金属层级,所述多个金属层级包括具有形成所述至少一个天线的至少一部分的金属迹线的至少一个金属层级。

10.根据权利要求6所述的设备,其中所述至少一个天线包括第一天线和第二天线,所述设备还包括选择电路,所述选择电路被配置用于选择所述第一天线和所述第二天线中的至少一个天线,并且将所述电信号直接施加至所选择的天线的输入端子。

11.根据权利要求10所述的设备,其中,所述第一天线和所述第二天线位于所述互连区域的相同金属层级中。

12.根据权利要求10所述的设备,其中,所述第一天线和所述第二天线位于所述互连区域的不同金属层级中。

13.根据权利要求11所述的设备,其中,所述第一天线位于所述集成电路的第一区域上方,并且所述第二天线位于所述集成电路的第二区域上方。

14.根据权利要求13所述的设备,其中,所述第一区域和所述第二区域至少部分地交叠。

15.根据权利要求13所述的设备,其中所述第一区域和所述第二区域不交叠。

16.根据权利要求10所述的设备,其中,所述选择电路包括控制寄存器、以及耦合在所述天线与所述控制寄存器之间的逻辑门,所述控制寄存器被配置用于控制所述逻辑门的操作,以选择性地将所述电信号直接施加至所述天线的输入端子。

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