[发明专利]一种OLED显示面板及其制作方法在审
| 申请号: | 201910443754.7 | 申请日: | 2019-05-27 |
| 公开(公告)号: | CN110224077A | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
| 发明(设计)人: | 孙佳佳 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 通孔 孔腔 摄像头 清晰成像 通孔侧壁 水汽 膜层 封装可靠性 光透过性 保证 隔断 基板 制作 阻隔 侵入 入侵 侧面 暴露 贯穿 | ||
1.一种OLED显示面板,其特征在于,包括阵列基板、设置于所述阵列基板表面的发光器件层,以及设置于所述发光器件层和所述阵列基板上的封装层;
所述OLED显示面板设置有通孔,所述通孔贯穿所述阵列基板、所述发光器件层以及所述封装层;
其中,所述通孔包括层叠的第一孔腔与第二孔腔,所述第一孔腔的孔径大于所述第二孔腔的孔径,且所述第一孔腔至少切断所述通孔边缘的所述发光器件层,以及厚度方向上的水汽传导膜层。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述阵列基板包括TFT器件层,位于所述TFT器件层上的平坦层,以及位于所述平坦层上的像素定义层,所述像素定义层形成有阵列分布的像素区,所述发光器件层对应设置于所述像素区内;
则所述水汽传导膜层包括所述像素定义层以及所述平坦层。
3.根据权利要求2所述的OLED显示面板,其特征在于,所述TFT器件层包括TFT器件以及包覆所述TFT器件的功能膜层;
则所述第一孔腔可切断所述发光器件层、所述水汽传导膜层以及部分或全部所述功能膜层。
4.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述封装层包括交替设置的有机层和无机层,所述有机层包覆于所述无机层内。
5.根据权利要求4所述的OLED显示面板,其特征在于,所述无机层至少连续地覆盖所述发光器件层以及所述第一孔腔表面。
6.根据权利要求5所述的OLED显示面板,其特征在于,所述有机层仅覆盖所述通孔之外的所述发光器件层。
7.根据权利要求5所述的OLED显示面板,其特征在于,所述有机层覆盖所述通孔之外的所述发光器件层以及部分或全部所述第一孔腔表面。
8.一种OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
S10、提供一基板,在所述基板表面设置开孔区,并对所述开孔区进行减薄处理;
S20、在所述基板上制备TFT器件层、位于所述TFT器件层之上的发光器件层以及间隔层,其中,所述TFT器件层的TFT器件避开所述开孔区设置,且所述TFT器件层、所述发光器件层以及所述间隔层位于所述开孔区的部分形成凹陷;
S30、至少去除所述凹陷边缘的所述发光器件层;
S40、在所述基板上制备封装层,所述封装层至少连续地覆盖所述发光器件层、以及所述凹陷表面;
S50、将所述凹陷底部去除,形成通孔。
9.根据权利要求8所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述步骤S30中,可去除的部分还包括所述间隔层,且去除膜层的区域将在所述凹陷的边缘形成一环形阶部。
10.根据权利要求9所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述间隔层至少包括像素定义层和平坦层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910443754.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:OLED面板及其制造方法
- 下一篇:一种显示面板、覆晶薄膜及显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





