[发明专利]一种谐波抑制发射机

权利要求书

1.一种谐波抑制发射机，其特征在于，所述发射机包括数据调制器、环形振荡器、移相器、谐波抑制边沿耦合器、功放电路以及天线；

所述数据调制器用于接收待发射数字基带信号，并对所述待发射信号进行调制，产生低频已调制信号；

所述环形振荡器，用于根据所述数据调制器提供的低频已调制信号，产生一组N路的等相位间隔的低频信号；其中，N≥3，且N为奇数；

所述移相器，用于对第一组低频信号进行移相处理，分别产生第二组和第三组N路低频信号；

所述谐波抑制边沿耦合器用于所有低频信号分别进行边沿耦合，输出N倍频阶梯波；

所述功放电路，用于对所述N倍频阶梯波进行功率放大，提高发射机输出功率；所述天线，用于发射特定频率的电磁脉冲信号。

2.根据权利要求1所述的谐波抑制发射机，其特征在于，所述移相器包括相位粗调电路和相位细调电路；其中，所述相位粗调电路，用于实现相位的粗略调整；所述相位细调电路，用于实现相位的精确调整。

3.根据权利要求2所述的谐波抑制发射机，其特征在于，所述谐波抑制边沿耦合器包括边沿耦合器1、边沿耦合器2和边沿耦合器3，用于对所述的第一、第二和第三组低频信号分别进行边沿耦合，输出N倍频阶梯波。

4.根据权利要求2或3所述的谐波抑制发射机，其特征在于，所述环形振荡器输出的N路低频信号中相邻信号的相位差为(180+180/N)°。

5.根据权利要求4所述的谐波抑制发射机，其特征在于，所述移相器对第一组N路低频信号分别移相(45/N)°和(90/N)°后，得到第二组和第三组N路低频信号。

6.根据权利要求5所述的谐波抑制发射机，其特征在于，所述谐波抑制边沿耦合器具备谐波抑制功能，能够输出N倍频阶梯波，三次和五次谐波抑制度可达47.1dBc和48.3dBc，相比方波信号分别提高36.5dB和34.3dB。

7.根据权利要求6所述的谐波抑制发射机，其特征在于，所述边沿耦合器1、边沿耦合器2和边沿耦合器3均由开关MOS管组成，每个边沿耦合器电路包含N路输入信号，1路输出信号。

8.根据权利要求7所述的谐波抑制发射机，其特征在于，所述边沿耦合器1、边沿耦合器2和边沿耦合器3的中开关MOS管的跨导之比为

9.根据权利要求8所述的谐波抑制发射机，其特征在于，所述边沿耦合器1、边沿耦合器2和边沿耦合器3的输入信号分别为第一组、第二组和第三组N路低频信号；其输出端通过并联结构汇集电流，共享负载。