[发明专利]用以处理半导体装置阵列的方法有效

专利信息
申请号: 201910427527.5 申请日: 2017-02-24
公开(公告)号: CN110137128B 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 陈立宜;张佩瑜;詹志辉;张俊仪;林师勤;李欣薇 申请(专利权)人: 美科米尚技术有限公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/66;H01L21/67;H01L25/075
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁
地址: 萨摩亚阿庇亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用以 处理 半导体 装置 阵列 方法
【权利要求书】:

1.一种用以处理半导体装置阵列的方法,其特征在于,包含:

将多个半导体装置暂时地黏贴至承载基板上;

测试所述承载基板上的所述多个半导体装置,以决定所述多个半导体装置中是否有至少一个损毁半导体装置;

从所述承载基板上移除所述损毁半导体装置;

在移除所述损毁半导体装置后,从所述承载基板上转移剩余的所述多个半导体装置至接收基板,以在所述接收基板上设置具有至少一个故障部分的半导体装置阵列,其中所述故障部分是由至少一个空缺所造成的;以及

以至少一个补丁半导体装置修补所述半导体装置阵列内的所述空缺。

2.如权利要求1所述的用以处理半导体装置阵列的方法,其特征在于,修补所述半导体装置阵列内的所述空缺是通过静电吸头、黏性吸头或其组合而进行。

3.如权利要求1所述的用以处理半导体装置阵列的方法,其特征在于,修补所述半导体装置阵列内的所述空缺是通过至少一个转移头而进行,所述转移头具有对应于所述空缺的图案化吸取表面。

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