[发明专利]一种低电磁干扰的零中频体制发射机有效

专利信息
申请号: 201910425100.1 申请日: 2019-05-21
公开(公告)号: CN110212928B 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 余鹏程;马骏;张志成;黄振;张立明;章明明;赵宇峰 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
主分类号: H04B1/04 分类号: H04B1/04;H04B1/00
代理公司: 合肥昊晟德专利代理事务所(普通合伙) 34153 代理人: 王林
地址: 230000 安徽省合*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 电磁 干扰 中频 体制 发射机
【权利要求书】:

1.一种低电磁干扰的零中频体制发射机,其特征在于:包括电源模块、基带模块、变频模块与功放模块;

所述电源模块,用于为发射机提供二次电源;

所述基带模块,用于产生I、Q两路基带信号,并将I/Q两路基带信号传输到变频模块;

所述变频模块,用于调制输入的I/Q两路基带信号,并用于提供内部需要的本振输出和射频输出;

所述功放模块,用于对变频模块输出的模拟信号进行多级功率放大后对外辐射;

所述电源模块、基带模块、变频模块与功放模块两两之间采用导带搭接的方式实现信号传输;

所述变频模块包括内部晶振、锁相模块与上变频模块,所述内部晶振用于输出两路信号,一路信号经衰减滤波后直接输出供数字时钟使用,另一路信号用于作为锁相模块的参考时钟信号,所述上变频模块用于将I/Q基带信号进行上变频后输出;

所述锁相模块包括锁相环、PI衰减器与放大器,所述衰减器与放大器均设置在锁相环的输出端,所述衰减器用于衰减锁相环输出的本振信号同时用于衰减进入锁相环的干扰信号,所述放大器用于放大锁相环输出的本振信号;

所述变频模块还包括多个压块,多个所述压块分别设置在与放大器输出端连接的正交调制器、正交调制器的输入信号线、锁相环与放大器的周围,从而形成多个用于实现屏蔽处理的隔腔;

所述变频模块的PCB包括四层板,其中,自上而下第一层为信号线层,第二层为I/Q线层,第三层为电源层,第四层为接地层;

所述基带模块采用FPGA+1553B接口转换芯片+DAC+PROM+刷新芯片的架构,其中,1553B接口转换芯片用于完成1553B总线接口协议转换,并与FPGA进行数据交换;FPGA用于完成数据处理和信号处理,从1553B总线数据上提取返向数据,并进行编码、调制扩频;刷新芯片用于实现FPGA逻辑的定时刷新,提高FPGA抗单粒子反转性能;PROM用于存储编写好的FPGA程序;DAC用于完成基带I、Q数据的模数变换。

2.根据权利要求1所述的一种低电磁干扰的零中频体制发射机,其特征在于:所述零中频体制发射机还包括盒体,所述基带模块、变频模块与功放模块均设置在盒体的内部一侧,所述电源模块设置在盒体的内部另一侧。

3.根据权利要求1所述的一种低电磁干扰的零中频体制发射机,其特征在于:所述零中频体制发射机还包括多个腔体,多个所述腔体分别设置在基带模块、变频模块以及功放模块的外部,所述基带模块、变频模块与功放模块两两之间通过腔体进行物理隔离。

4.根据权利要求1所述的一种低电磁干扰的零中频体制发射机,其特征在于:所述电源模块包括多个独立的DC/DC变换器,多个所述DC/DC变换器分别用于输出供基带模块、变频模块与功放模块使用的固定电压。

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