[发明专利]Micro-LED芯片的转移方法及Micro-LED显示面板

权利要求书

1.一种Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述方法包括：

S10，提供一目标基板，所述目标基板的表面设置有多个凹槽结构，多个所述凹槽结构呈阵列状分布，每一所述凹槽结构的底面形状为方形，在每一所述凹槽结构内沉积一层金属膜层，形成第一金属电极；

S20，提供一种转移头，所述转移头上设置有多个吸头，每一所述吸头的位置与每一所述凹槽结构的位置相对应，多个所述吸头为镂空结构，多个所述吸头的底面为圆形，将所述转移头通过所述吸头吸取导电胶体；

S30，将所述转移头上的每一所述吸头对准与其相对应的所述凹槽结构，释放所述转移头中的所述导电胶体，使所述导电胶体放置于所述凹槽结构内；

S40，将多个含有第二金属电极的Micro-LED芯片通过转移基板转移至所述目标基板对应的所述凹槽结构上，使所述第二金属电极与所述导电胶体相接触；

S50，通过加热方式固化所述导电胶体，实现所述Micro-LED芯片与所述目标基板可靠电性连接。

2.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述步骤S10中，所述目标基板为印刷电路板、TFT基板以及CMOS基板中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述步骤S10与所述步骤S40中，所述第一金属电极以及所述第二金属电极为Au、Ag、Au/AuSn、Au/AuTi中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述步骤S20中，所述导电胶体为银溶胶、金溶胶、纳米银溶液/溶胶、纳米银线溶液/溶胶、石墨烯溶液/溶胶、异方性导电胶中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述步骤S50中，所述加热方式包括对所述目标基板进行直接加热或者通过红外线加热所述目标基板。

6.一种如权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法制备的Micro-LED显示面板，其特征在于，包括目标基板、第一金属电极、导电材料层、第二金属电极以及Micro-LED芯片，所述目标基板表面具有多个凹槽结构，多个所述凹槽结构呈阵列状分布，每一所述凹槽结构的底面形状为方形，所述第一金属电极以及所述导电材料层设置于所述凹槽结构内，所述第二金属电极设置于所述Micro-LED芯片上并与所述导电材料层相接触。

7.根据权利要求6所述的Micro-LED显示面板，其特征在于，所述第一金属电极以及所述第二金属电极为Au、Ag、Au/AuSn、Au/AuTi中的任意一种。