[发明专利]改善浆料流动性的抛光垫及其制备方法

说明书

本申请提供一种抛光垫，其包括多个第一凹槽，该第一凹槽为具有相同中心的几何形状；和多个第二凹槽，该第二凹槽从该中心向外周边径向延伸，其中该第二凹槽的深度等于或者深于该第一凹槽的深度。抛光垫可以快速排出在抛光过程中产生的任何碎屑，以减少例如晶片表面上的划痕等缺陷。

[技术领域]

本申请实施方案涉及用于半导体的化学机械平坦化(CMP)工艺的抛光垫及其制备方法。

[背景技术]

在制备半导体的过程中的化学机械平坦化(CMP)工艺是指将晶片固定到抛光头并与安装在压板上的抛光垫的表面接触，然后通过以下方式对晶片进行化学处理：当压板和抛光头相对移动时供应浆料，从而机械地使晶片表面上的不规则部分平坦化。

抛光垫是在CMP工艺中起重要作用的必要部件。通常，抛光垫由聚氨酯基树脂组成，并且在其表面上具有用于大流量的浆料的凹槽，和用于支撑浆料微流动的孔。

凹槽可以具有各种形状。例如，凹槽可以为具有相同中心的圆形(参见韩国公开专利No.2005-95818)。设置在抛光垫上的凹槽在支撑浆料的同时允许浆料流动，从而辅助晶片表面的平坦化。

[发明内容]

[技术问题]

在CMP工艺中，重要的是不仅要增强晶片表面的平整度，而且要减少在抛光过程中可能出现的任何缺陷。特别地，在CMP工艺过程中产生的碎屑可能卷入晶片和抛光垫之间，从而引起不规则的划痕；或碎屑可能渗透到设备中，成为杂质。

因此，本申请实施方案旨在提供一种抛光垫及其制备方法，该抛光垫具有凹槽，能够加速浆料的抛光作用并快速排出在CMP工艺过程中产生的任何碎屑，以减少例如晶片表面上的划痕等缺陷。

[技术问题解决方案]

本申请一实施方案提供了一种抛光垫，所述抛光垫包括抛光层，其中所述抛光层在其抛光表面上包括：多个第一凹槽，所述第一凹槽为具有相同中心的几何形状；和多个第二凹槽，所述第二凹槽从所述中心向外周边径向延伸；并且所述第二凹槽的深度等于或深于所述第一凹槽的深度。

本申请另一实施方案提供了一种制备抛光垫的方法，包括：(1)制备抛光层；(2)在所述抛光层的抛光表面上形成多个第一凹槽，所述第一凹槽为具有相同中心的几何形状；和(3)在所述抛光层的抛光表面上形成多个第二凹槽，所述第二凹槽从所述中心向外周边径向延伸；其中所述第二凹槽的深度等于或深于所述第一凹槽的深度。

[本发明的有益效果]

根据本申请实施方案提供的抛光垫在抛光表面上具有第一凹槽和第二凹槽。其特定形状和尺寸能够加速浆料的抛光作用并快速排出在抛光过程中产生的任何碎屑，以减少例如晶片表面上的划痕等缺陷。

[附图说明]

图1是根据一实施方案的抛光垫的平面图。

图2a是图1抛光垫的A1-A1'截面图。

图2b是图1抛光垫的A2-A2'截面图。

图3a和图3b示出了根据一实施方案的形成凹槽的方法。

图4a和图4b示出了形成圆形部分的方法和用于形成圆形部分的研磨器。

图5是图1中A区域的放大透视图，示出了圆形部分。

图6a、图6b、图6c分别是图5的B-B'、C-C'和D-D'截面图。

附图标记

100：抛光层 101：抛光表面

110：第一凹槽 111,121：内表面