[发明专利]一种各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法

权利要求书

1.一种各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法，其特征在于，所述方法包括：

进行主刻蚀，含有氧气、碳元素和氟元素的第一混合气体在等离子体形态对底层电路上需要去除的聚酰亚胺层的主要厚度层进行刻蚀，其中，所述第一混合气体中的所述碳元素和所述氟元素的原子个数比大于等于2:1，以保证对聚酰亚胺侧壁的有效保护；

进行过刻蚀，含有氧气、碳元素的第二混合气体在等离子体形态对底层电路上所述聚酰亚胺层的剩余厚度层进行刻蚀直至所述聚酰亚胺层刻蚀干净并实现图案化。

2.根据权利要求1所述的各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法，其特征在于，进行所述主刻蚀之前还包括：

在所述底层电路上形成一层钝化层；

在所述钝化层上形成一层所述聚酰亚胺层；

在所述聚酰亚胺层上形成所需图案的掩膜层。

3.根据权利要求2所述的各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法，其特征在于，进行所述过刻蚀之后还包括：

去除所述掩膜层，获得所需图案化的所述聚酰亚胺层图形。

4.根据权利要求2所述的各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法，其特征在于，所述钝化层包括SiN和SiO₂。

5.根据权利要求2或3或4所述的各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法，其特征在于，所述掩膜层包括SiN、SiO₂或a-Si中的任意一种或多种。

6.根据权利要求2或3或4所述的各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法，其特征在于，所述掩膜层包括金属Al、Ti、Cr或Ni中的任意一种或多种。

7.根据权利要求2或3或4所述的各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法，其特征在于，所述掩膜层为光刻胶层。

8.根据权利要求1~7任一所述的各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法，其特征在于，所述第一混合气体包括C₄F₈、CF₄、O₂的混合气体。

9.根据权利要求8所述的各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法，其特征在于，所述第一混合气体中，C₄F₈、CF₄、O₂的流量比为(2~3):1:(1~2)。

10.根据权利要求1~7任一所述的各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法，其特征在于，所述第一混合气体包括C₄F₆、CF₄、O₂的混合气体。

11.根据权利要求10所述的各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法，其特征在于，所述第一混合气体中，C₄F₆、CF₄、O₂的流量比为2:1:1。

12.根据权利要求1~11任一所述的各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法，其特征在于，所述第二混合气体包括含有CH₄和O₂的混合气体。

13.根据权利要求12所述的各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法，其特征在于，所述第二混合气体中，CH₄和O₂的流量比为(1~2):1。

14.根据权利要求1~13任一所述的各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法，其特征在于，所述过刻蚀过程中，所述第二混合气体不对所述钝化层进行刻蚀。