[发明专利]边缘吹扫装置、基座系统及工艺腔室

说明书

本发明提供一种边缘吹扫装置、基座系统及工艺腔室，该边缘吹扫装置用于吹扫承载于基座上的基片的边缘处，该边缘吹扫装置包括：吹扫通道和气源；其中，吹扫通道的出气口沿基座的周向设置，且出气口的出气方向相对于竖直方向朝向基座倾斜。通过本发明可实现改善基片边缘刻蚀或沉积的均匀性。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种边缘吹扫装置、基座系统及工艺腔室。

背景技术

目前，在集成电路的制造工艺过程中，特别是化学气相沉积(以下简称为CVD)工艺中，为了避免在工艺过程中晶片出现移动或错位，往往使用真空卡盘来固定晶片。

在一些CVD工艺中，反应气体会沉积在晶片的背面和侧壁。当厚度达到一定程度，可能会出现龟裂脱落现象以及颗粒问题，从而导致晶片的损坏及不达标，影响器件性能。

为了能保护晶片边缘不被反应气体接触而造成沉积或刻蚀而带来的影响，往往在真空卡盘上方晶片边缘位置引入气体保护措施，具体实现方式是工艺时，在卡盘边缘位置通入保护气体，避免腔室反应气体扩散至晶片边缘附近。但是，若边缘保护气体的吹气方式不合适，就会影响到晶片正面边缘部分的刻蚀或沉积特性，造成晶片边缘刻蚀或沉积均匀性差的问题。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种边缘吹扫装置、基座系统及工艺腔室，以改善基片边缘刻蚀或沉积均匀性。

为实现本发明的目的而提供一种边缘吹扫装置，用于吹扫承载于基座上的基片的边缘处，所述吹扫装置包括：吹扫通道和气源；其中，

所述吹扫通道的出气口沿所述基座的周向设置，且所述出气口的出气方向相对于竖直方向朝向所述基座倾斜；

所述气源用于向所述吹扫通道提供吹扫气体。

优选地，所述出气口的出气方向沿水平方向；或者，所述出气口的出气方向相对于竖直方向向上倾斜或者向下倾斜。

优选地，还包括：进气管路；

所述进气管路连通所述吹扫通道和所述气源，用于将来自所述气源的吹扫气体输送至所述吹扫通道中。

优选地，还包括：

温控结构；

所述温控结构套置在所述进气管路上，用于控制所述进气管路中的吹扫气体的温度。

优选地，所述温控结构包括：温控管和控温源，其中：

所述控温源用于向所述控温管提供控温媒介，所述温控管套置在所述进气管路上，且所述温控管内设置控温媒介输入管路和控温媒介输出管路。

优选地，所述温控结构包括：套置在所述进气管路上的控温带。

一种基座系统，包括：基座以及本申请中所述的边缘吹扫装置；其中，所述基座用于承载基片，所述边缘吹扫装置用于吹扫所述基片的边缘处。

优选地，还包括：环绕在所述基座周围的边缘环；

所述边缘环的内周壁与所述基座的外周壁之间的环形间隙形成所述吹扫通道。

优选地，所述边缘环包括环形本体和设置在其顶部且朝向所述基座的环形凸台，所述环形凸台的下表面与竖直方向成角度设置。

优选地，所述环形凸台下端面的内边沿不高于所述基片的上表面。

优选地，所述环形凸台的下表面、上表面均与竖直方向成90度角；

所述环形凸台的下表面低于所述基片的上表面，所述环形凸台的上表面高于所述基片的上表面。

优选地，所述环形凸台的上表面与所述基片的上表面之间的高度差的取值范围在1.5mm～5mm。