[发明专利]光刻胶涂布装置

说明书

一种光刻胶涂布装置，包括腔底座、腔身、腔顶盖，所述腔底座、所述腔身以及所述腔顶盖构成涂布腔室；涂布溅射区，位于所述腔顶盖内壁，且所述涂布溅射区的材料为亲水性润湿材料。亲水性材质可以减小液体与所述亲水性材质表面的接触角，从而使液体不易沾粘在所述涂布溅射区，增大了液体流动性；当进行涂布工艺时，由于离心力而飞出混合液体到达所述涂布溅射区更容易流动排出，避免产生堆积，减少反溅，从而提高所述涂布装置的工作效率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种光刻胶涂布装置。

背景技术

目前，半导体集成电路(IC)产业已经经历了指数式增长。IC材料和设计的技术进步已经产生了数代IC，其中，每代IC都比前一代IC具有更小和更复杂的电路。在IC的发展过程中，功能密度普遍增加，而几何尺寸(即使用制造工艺可以产生的最小部件)却已减小。除了IC部件变得更小更复杂之外，在其上制造IC的晶圆变的越来越大，这就对晶圆的质量要求越来越高。

在晶圆的制造过程中，需要经过多步工艺，例如表面清洗、初次氧化、化学气相沉积镀膜、化学机械研磨、光刻、退火、离子注入等。其中，光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂(又名光刻胶)将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。光刻工艺中光刻胶的涂布是在光刻胶涂布装置中完成的。

在现有的光刻胶涂布装置中进行光刻胶旋涂时，所述晶圆被马达产生的动力带动并高速旋转，旋转产生的离心力将光刻胶涂覆在晶圆表面形成均匀的介质薄膜。然而，目前在涂布时，喷发的稀释剂(OK73)与光刻胶溶剂因离心力作用被从晶圆上甩出后撞击到所述光刻胶涂布装置的内壁上，其中，一部分稀释剂(OK73)与光刻胶溶剂的混合液体会随着所述涂布装置底部的排液管路排出；而剩余部分所述混合液体会残留在所述涂布装置的内壁上，这些残留在所述涂布装置内壁上的混合液体进行堆积，当经干燥之后，会产生胶体颗粒物，这些胶体颗粒物会污染后面的晶圆，导致图形缺陷；同时，堆砌起来的所述混合液体若不能及时去除，还会加大引起返溅残留缺陷。

现有技术中，为了避免所述混合液体堆积在涂布装置的内壁，解决方案是定期维护(PM)，将使用后的涂布装置的腔身和腔顶盖更换为清洁干净的腔身或腔顶盖，以预防缺陷的产生。但是，这种方式浪费人力物力，并影响了光刻胶涂布装置的生产效率。

因此，光刻胶涂布装置的生产效率有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是现有的光刻胶涂布装置生产效率低。

为解决上述问题，本发明提供一种光刻胶涂布装置，包括腔底座、腔身、腔顶盖，所述腔底座、所述腔身以及所述腔顶盖构成涂布腔室；所述腔顶盖内壁包括涂布溅射区，且所述涂布溅射区的材料为亲水性润湿材料。

可选的，位于所述涂布溅射区的所述腔顶盖内壁包括顶边与底边，所述顶边围成圆形，所述底边围成圆形，所述顶边直径小于所述底边直径，且所述顶边与所述底边的高度差为2mm-3mm。

可选的，由所述顶边至所述底边，沿高度方向上，所述腔顶盖内壁的直径逐渐增大，且所述腔顶盖内壁向外凸出。

可选的，所述亲水性润湿材料包括金属材料或高分子材料，所述金属材料或高分子材料的表面张力大小为40mN/m至75mN/m。

可选的，所述腔顶盖内壁还包括空白区，所述空白区的材料为超疏水性材料。

可选的，所述腔身或所述腔底座的材料为超疏水性材料。

可选的，所述超疏水性材料包括金属、陶瓷或高分子材料，所述金属、陶瓷或高分子材料的表面张力小于35mN/m。

可选的，所述腔身为圆台状，具有贯穿厚度的空腔。

可选的，所述腔身侧面与底面的夹角为15°-45°。

可选的，所述腔顶盖与所述腔底座围成腔室，所述腔身位于所述腔室内部。